Драйверами п/п-рынка беспроводных устройств служат LTE и GaN

ABI Research: рынки LTE и точек доступа продвигают продажи РЧ-усилителей и РЧ-силовых полупроводников для беспроводной инфраструктуры.

Развертывание беспроводной инфраструктуры в Азии, где лидером является Китай, остается основной движущей силой рынка радиочастотных (РЧ) усилителей и РЧ-силовых полупроводников по итогам 2013 г. и в дальнейшем. Вопреки неблагоприятному 2012 году, в 2013 г. темп роста рынка РЧ-усилителей мощности был в пределах одной цифры, а рынок силовых РЧ-полупроводников рос двузначным темпом.

Аналитическая компания ABI Research заявляет, что она ожидает продолжения этой тенденции. Руководитель исследований компании Лэнс Уилсон (Lance Wilson) заявил: «В обозримом будущем Азиатско-Тихоокеанский регион, в частности, Китай, будет доминировать на этом рынке и останется наиболее важным регионом для РЧ-усилителей высокой мощности и РЧ-силовых устройств для беспроводной инфраструктуры».

Прогноз рынка усилителей мощности для сотовых терминалов по основным технологиям, в млн штук. Февраль 2014 г. Источник: Microwaves & RF

В ближайшие пять лет LTE и новые радиоинтерфейсы TD-LTE станут технологическими движителями роста. Еще одним важным прорывом станет влияние на этот сегмент нитрид-галлиевых (GaN) устройств.

«Хотя сейчас кремниевые LDMOS являются технологическим лидером рынка, нитрид-галлиевые устройства заняли существенную долю рынка в 2013 г. и займут еще большую долю в следующие несколько лет, – заявил Уилсон. – Имеющаяся общая потребность в беспроводной передаче данных остается важным фактором всего рынка РЧ-усилителей мощности и РЧ-силовых полупроводниковых устройств».

Источник: Digitimes

Оставьте отзывОтмена