Нанопечатная литография поможет Toshiba сэкономить при производстве NAND-флэш


С помощью технологии нанопечати Toshiba планирует приступить к выпуску планарной NAND-флэш с технологическими нормами класса 10 нм

Нам уже известно, что в текущем году компания Canon собирается начать (или уже начала) поставку компании Toshiba производственного оборудования для нанопечатной литографии (nanoimprint lithography, NIL). Согласно предыдущим планам, с помощью технологии нанопечати Toshiba планирует приступить к выпуску планарной NAND-флэш с технологическими нормами класса 10 нм, возможно — с 11-нм нормами, что косвенно подтверждает компания Canon. По данным японских источников, нанопечатные штампы для Toshiba также взялась выпускать другая японская компания — Dai Nippon Printing.

Выгода нанопечатной литографии при выпуске полупроводников в том, что оборудование для выпуска решений стоит на 60-70 % меньше, чем линии с классической фотолитографией. С учётом всех затрат на выпуск флэш-памяти всех типов, включая 3D NAND и обычной планарной, запуск в массовое производство флэш-памяти, полученной методом нанопечати приведёт к снижению регулярных затрат Toshiba на 10 %. Компания и так отстала от своих конкурентов в переходе на производство 3D NAND, поэтому она может наверстать упущенное при переходе на нанопечать.

Сообщается, что начало выпуска флэш-памяти методом нанопечати стартует в 2017 финансовом году со значительным расширением производства методом NIL в финансовом 2018 году. Производство будет налажено на заводе Toshiba в Yokkaichi. Поскольку Toshiba сокращает своё присутствие на других направлениях на рынке электроники, производству флэш-памяти будет отдан максимальный приоритет, так что возможно движение с опережением графика.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *