Энергонезависимая память на основе магнитных эффектов иди MRAM (магниторезистивная память) имеет ряд преимуществ перед широко используемой флэш-памятью NAND-типа — это лучшее быстродействие и меньшее потребление во время записи, однако главным препятствием для широкого распространения MRAM остаётся низкая плотность записи.
Возможно, этот недостаток поможет преодолеть новая разработка компаний SK Hynix и Toshiba. Согласно последнему докладу партнёров не конференции IEDM 2016, они смогли создать рабочую структуру STT-MRAM с плотностью размещения ячеек почти такой же, как у современной памяти типа DRAM.
 |
Схема строения инновационной ячейки STT-MRAM SK Hynix и Toshiba
Для сравнения, сегодня площадь ячейки MRAM, находящейся в коммерческом производстве, равна 50F2. Площадь ячейки памяти STT-MRAM SK Hynix и Toshiba составляет всего 9F2 (указаны относительные размеры, которые в разных техпроцессах будут иметь разные абсолютные значения). Площадь актуальной ячейки памяти DRAM равна 8F2. Представленный разработчиками прототип STT-MRAM состоит из 8 512-Мбит банков общей ёмкостью 4 Гбит. Коммерческая память MRAM сегодня выпускается в массе чипами ёмкостью по 128 Мбит.
 |
Реальное изображение массива из ячеек STT-MRAM
Добавим, напряжение питания разработки лежит в пределах 1,1-1,7 В. Длительность импульса записи — 30 нс. Подробнее о разработке компании SK Hynix и Toshiba расскажут в феврале на ежегодной конференции ISSCC 2017. По словам докладчика, в продаже подобная память появится не раньше чем через два или три года.
Источник: Ф-Центр