Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 10 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

AC-DC преобразователи: 150 Вт на одном кристалле

Однокристальный AC-DC преобразователь TOPSwitch-HX компании Power Integrations предназначен для использования в импульсных источниках питания, удовлетворяют требованиям стандартов CEC и Energy Star, обеспечивают на выходе мощность 48 Вт без радиатора и 150 Вт [[с радиатором]]

Прецизионный делитель напряжения DSMZ от Vishay

DSMZ - прецизионный делитель напряжения, выполненный по технологии Bulk Metal® Z-Foil, для [[поверхностного монтажа]]

Cymbet EnerChip – первые коммерчески доступные тонкопленочные аккумуляторы

Усилиями специалистов Cymbet созданы и доведены до серийного производства миниатюрные [[перезаряжаемые источники электроэнергии]]

 

11 октября

Транзисторы Toshiba снова бьют рекорды

В область интересов японской компании Toshiba входит разработка полевых транзисторов на основе нитрида галлия и ей удалось достичь значительных успехов [[в этой области]]

И

з последних крупных достижений Toshiba стоит отметить GaN-транзисторы, разработанные в конце прошлого года, которые работают на частоте 9,5 ГГц с выходной мощностью 81,3 Вт, что стало рекордным показателем в отрасли.

Как и было обещано, в своих последующих исследованиях японские инженеры уделили особое внимание разработке полевых транзисторов для частотного диапазона 12-18 ГГц (так называемый Ku-band диапазон). Результатом их работы стало создание транзистора, способного работать на частоте 14,5 ГГц при рекордно высокой для такого режима работы выходной мощности 65,4 Вт.

В структуре новых полевых транзисторов можно выделить AlGaN и GaN слои, которые формируются на кремниевом карбиде. Чтобы оптимизировать работу на частоте 14,5 ГГц, разработчики уменьшили длину затвора до 0,3 мкм. Значительные усилия были приложены для минимизации тепловыделения. Подробнее о своих достижениях Toshiba расскажет на конференции European Microwave Conference, которая проходит в Мюнхене с 8 по 12 октября.

Основными областями применения новых транзисторов станут спутниковые и радарные системы. Отгрузки первых образцов GaN-транзисторов Toshiba начнет к концу этого года, а массовое производство намечено на март 2008 года.

Конечно, Toshiba не собирается останавливаться на достигнутом. В ближайших планах компании значится освоение диапазона 18-30 ГГц (Ka-band). Ключевые характеристики нового транзистора: напряжение стока 30 В, выходная мощность 65,4 Вт, рабочая частота 14,5 ГГц, размеры кристалла: 3,4 х 0,53 мм, габариты корпуса: 21 х 12,9 мм.

 

Оцените материал:

Источник: 3dnews

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты