Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 15 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Метаноловые батареи от Samsung – пока только для военных

На Международной выставке возобновляемых источников энергетики Green Energy Expo (8-10 апреля 2009, Тэгу, Корея), компания Samsung Electronics, совместно с Samsung DSI, представила действующий прототип метанолового топливного элемента прямого действия DMFC (Direct Methanol Fuel Cell).

Понижающий стабилизатор от Allegro Microsystems реализует схему управления по минимальному току

Компания Allegro Microsystems Europe предлагает микросхему A4403 – 3-А понижающий стабилизатор, который использует схему управления токового режима по минимальному току для обеспечения малого времени включения.

SANYO и Nippon Oil учредили СП по выпуску тонкопленочных солнечных батарей

SANYO Electric и Nippon Oil анонсировали решение основать предприятие под названием SANYO ENEOS Solar для изготовления и продаж тонкопленочных панелей и высокопроизводительных солнечных электростанций на их основе.

 

11 июля

Первые в отрасли мощные MOSFET с RDSon менее 1 мОм

Компания NXP Semiconductors сообщает о прорыве в разработке мощных MOSFET. Новый прибор PSMN1R2-25YL – первый в отрасли n-канальный 25 В MOSFET с величиной RDSon 0,9 мОм в корпусе Power-SO8 (LFPAK).

Н

овое поколение MOSFET объединяет в себе эффективность корпусов Power-S08 LFPAK (Loss Free package) и кремниевой технологии Trench 6. Уникальные характеристики новых приборов делают их незаменимым в таких приложениях, как мощные OR-ring, управление двигателями и синхронные понижающие стабилизаторы.

«Технология производства MOSFET – это постоянная гонка за повышение эффективности приборов», говорит John David Hughes, старший менеджер по международному маркетингу из NXP. «Мы применили прогрессивную технологию в новом Trench 6 процессе, что позволило значительно уменьшить сопротивление приборов во включенном состоянии (on-resistance). Новые приборы предлагают целый ряд преимуществ нашим потребителям – это более высокая эффективность переключения и максимальное электрическое и минимальное термическое сопротивление корпуса. Корпус Power-S08 (LFPAK) совместим по топологии с широко распространенным Power SO-8».

NXP лидирует на рынке с Trench 6 MOSFET PSMN1R2-25YL с типовым значением RDSon 0.9 мОм при 25 В (корпус Power-S08, LFPAK) и 1 мОм (тип.) при напряжении 30 В. Приборы выпускаются серийно и предлагаются по $0,8 в партиях от 1000 штук.

Кроме MOSFET с самым низким RDSon, компания анонсировала новое семейство компонентов в корпусах Power-S08 (LFPAK) и TO220 на рабочие напряжения 25, 30, 40 и 80 В для источников питания, контроля перемещения и рынка промышленной электроники.

Оцените материал:

Источник: NXP

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты