Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 


Это интересно!

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

Память и цифровые ИС стандартные

40 / 182

1 |2 |3 |4 |5

5 августа 2011 | Память и цифровые ИС стандартные

Elpida выпускает первые образцы 25-нм DRAM-памяти

Японский производитель запоминающих устройств Elpida Memory заявил об успешном начале производства коммерческих образцов микросхем DRAM по технологическому процессу 25 нм.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


1 сентября 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Объявлено о начале серийного выпуска NAND-памяти по нормам 24 нм

Компания Toshiba начала массовое производство модулей флеш-памяти по 24-нанометровому техпроцессу.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


20 августа 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

MagSil проливает свет на состояние разработок MRAM-памяти

После 7 лет обнадеживающей научно-исследовательской работы по созданию MRAM компания MagSil, наконец, сообщила о некоторых деталях создания этой технологии.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


6 июля 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Твердотельные накопители станут доступнее через 2 года

На твердотельные накопители в IT-индустрии возлагают большие надежды: компактные, быстрые и экономичные в вопросах энергопотребления устройства могут стать отличной заменой устаревающим жестким дискам. Однако произойдет это не ранее чем через два года, считают эксперты. Пока SSD еще слишком дороги по сравнению с HDD.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 июня 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

17 часов HD-видео в одной микросхеме

Toshiba выпустила чип для MП3- плееров и смартфонов емкостью 128 ГБ.
  • 85
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


19 апреля 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Samsung разработала первую в мире 20-нм память NAND

Компания Samsung объявила о запуске 20-нм технологии производства NAND-памяти.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 марта 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Дуплексеры на основе объемных акустических резонаторов для стандарта UMTS

Компания Avago Technologies представила три новые малогабаритные модели дуплексеров для применения в мобильных телефонах и абонентских пунктах, работающих в диапазонах 2, 4 и 8 стандарта UMTS.
  • 68
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


22 марта 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Новые n-канальные МОП транзисторы от Fairchild Semiconductor

Компания Fairchild Semiconductor представила новые силовые n-канальные МОП-транзисторы FDZ192NZ и FDZ372NZ, имеющие низкое значение сопротивления «сток-исток» в открытом состоянии и высокий КПД.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


12 марта 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Эволюция жестких дисков может затронуть пользователей Windows XP

В начале следующего года все производители жестких дисков перейдут на использование нового так называемого «передового формата» («advanced format»). У пользователей операционной системы Windows XP при замене старых жестких дисков на новые могут возникнуть определенные проблемы
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


11 марта 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Apacer Giant II - максимальный индекс производительности в Windows 7

Компания Apacer Technology, мировой лидер по производству модулей памяти и цифровых запоминающих устройств, продемонстрировала эффективность работы трехканальных модулей памяти DDR3 Giant II, индекс производительности которых достиг максимума в 7.9 пунктов при работе с операционной системой Windows 7.
  • 85
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


4 марта 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Western Digital вышла на рынок потребительских SSD-накопителей

Компания Western Digital объявила о выпуске первых твердотельных дисков (SSD), ориентированных на потребительский рынок.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


1 февраля 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Intel и Micron первыми представят 25-нм NAND

Компании Intel и Micron Technology собираются восстановить технологическое лидерство на рынке NAND, первыми представив микросхемы, изготовленные по нормам 25 нм. Флеш-память основана на многоуровневых ячейках (MLC), емкость микросхем составляет 8 Гб, а стоимость производства по сравнению с предыдущими продуктами снижена на 50%.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


1 февраля 2010 | Память и цифровые ИС стандартные

Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3

Компания Samsung объявила о завершении разработки первых в мире микросхем памяти DRAM DDR3, при производстве которых применяется 30-нм технология.
  • 68
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


1 декабря 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Samsung приступает к производству трехбитной 30 нм памяти MLC

Компания Samsung, крупнейший производитель полупроводниковых микросхем, сегодня выступила сразу с двумя заявлениями.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


23 сентября 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Samsung Electronics начинает массовое производство памяти PRAM

Компания Samsung Electronics объявила на Шестом ежегодном форуме по мобильным решениям (Samsung Mobile Solutions Forum) о начале серийного производства нового типа энергонезависимой памяти PRAM (phase change random access memory).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


30 июня 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Углеродные кольца увеличат емкость жестких дисков в 1000 раз

Исследователи установили, что добавление углеродного кольца (например, ячейки графена) к атомам кобальта позволит увеличить плотность записи на жестких дисках в 1000 раз. Статья исследователей еще не принята к публикации, однако ее препринт доступен на сайте arXiv.org (http://arxiv.org/abs/0906.4645).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


27 июня 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Samsung и Numonyx разрабатывают спецификации памяти PCM

Компания Samsung объявила о кооперации с Numonyx для разработки спецификаций памяти типа PCM (Phase Change Memory). Работа будет веститись под началом комитета JEDEC. Черновой вариант спецификаций ожидается в текущем году с последующим утверждением и выпуском продукции в 2010.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


25 июня 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Создан чип многослойной флэш-памяти емкостью 32 Гбит

Компания Toshiba представила многослойную флэш-память с двумя битами на ячейку типа P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


4 июня 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Энергонезависимая безбатарейная RAM от Cypress Semiconductor

Компания AgigA Tech Inc., дочерняя фирма Cypress Semiconductor Corp., сообщает о разработке скоростной энергонезависимой RAM высокой плотности AgigaRAM.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 мая 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Опубликован первый стандарт по SSD-накопителям

Созданная JEDEC Solid State Technology Association в апреле прошлого года рабочая группа JC-64.8 завершила работу над проектом стандарта для 1,8-дюймовых SSD-накопителей, оснащенных SATA-интерфейсом.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 мая 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Samsung начнет массовое производство памяти PRAM в июне

Южнокорейская компания Samsung Electronics в следующем месяце намерена организовать массовое производство модулей памяти с изменяемым фазовым состоянием (PRAM).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


20 апреля 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Fujitsu разработала «сверхсекретную» флешку

Исследовательское подразделение Fujitsu разработало USB-накопитель для безопасного переноса корпоративных данных. Устройство обладает собственными процессором и аккумуляторной батареей.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


15 апреля 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

SandForce анонсирует сверхпроизводительные контроллеры для SSD

Малоизвестная калифорнийская компания SandForce анонсировала новую линейку контроллеров для SSD-дисков – SF-1000 Series, которые позволят качественно поднять характеристики накопителей на MLC памяти и вплотную приблизить показатели к накопителям на SLC чипах.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


14 марта 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

ioDrive Duo – самый быстрый твердотельный накопитель

Компания Fusion-io, создатель успешного твердотельного накопителя, подключаемого к PC через шину PCI-Express, представила новый ioDrive Duo, который назвала самым быстрым подобным решением на рынке. Объем устройства в максимальной комплектации – 640 Гбайт, скорость передачи данных – 1,5 Гбит/с. ioDrive Duo предназначен для корпоративных клиентов и для использования в серверах, поэтому через массив RAID-1 для максимальной производительности.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


10 марта 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Seagate ускорит жесткие диски в два раза

Компания Seagate совместно с AMD продемонстрировала интерфейс жестких дисков Serial ATA Revision 3.0 (SATA3), который позволяет передавать данные со скоростью до 600 Мбайт/с.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


9 февраля 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Toshiba анонсировала первые в отрасли 128 Мбайт FeRAM

Японский производитель электроники компания Toshiba сегодня сообщила о выпуске энергонезависимой памяти FeRAM самой высокой плотности (128 Мбайт) и скорости (1.6 Гбайт/с).
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


30 января 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Компанией Samsung разработана первая в мире микросхема памяти емкостью 4 Гбит

Компания Samsung разработала первую в мире микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гбит. Она выполнена с соблюдением 50-нм технологии и позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 Гбайт. Об этом сообщается в пресс-релизе компании.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


29 января 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Опубликован единый стандарт полного шифрования жестких дисков

Шесть крупнейших производителей жестких дисков обнародовали финальные спецификации единого стандарта шифрования, который можно будет использовать на всех традиционных жестких дисках, твердотельных накопителях SSD и в приложениях для управления ключами шифрования. После включения такого шифрования любой жесткий диск с поддержкой этого стандарта будет требовать пароль даже для загрузки.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 января 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Микросхемы EEPROM получают расширенный уникальный идентификатор

Компания Microchip анонсировала серию микросхем последовательной памяти EEPROM со встроенным EUI-48 и EUI-64-совместимыми Mac-адресами.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


12 января 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

Новые материалы на сайте «Время электроники» из раздела «Генераторы и синтезаторы» журнала ЭК за I полугодие 2008 г

На сайте «Время электроники» размещены все статьи из раздела «Генераторы и синтезаторы» журнала «Электронные компоненты» за I полугодие 2008 г.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


7 января 2009 | Память и цифровые ИС стандартные

NEC разработала память нового поколения

Корпорация NEC разработала элемент памяти нового поколения, который называется долговременным магнитным триггером (non-volatile magnetic flip flop) и является основой однобитовой ячейки памяти, пишет The Register Hardware.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


24 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

«Универсальная память» все еще на старте

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Devices Meeting, IEDM), проходящей на этой неделе в Сан-Франциско, множество разработок было представлено в качестве кандидатов на «универсальную память» – то есть, устройств, позволяющих выполнять функции как оперативного, так и долговременного, энергонезависимого хранения. Все технологии, на которых базировались анонсы, не являются дебютантами, но их массовое практическое внедрение в ближайшем будущем по-прежнему под вопросом, а депрессивное состояние рынка, скорее всего, еще более отодвинет сроки их выхода на коммерческий уровень.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


21 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Toshiba будет использовать в производстве 32-нм литографию с однократной экспозицией

По словам корпорации Toshiba, у нее готова рентабельная технологическая платформа для выпуска микросхем по технологии CMOS с соблюдением 32 нм норм. По сравнению с технологией, применяемой при изготовлении продукции с соблюдением норм 45 нм, она обеспечивает меньшую себестоимость, большую плотность размещения элементов и быстродействие схем.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


19 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Ученые создали первую в мире графеновую память

Исследователи из американского Университета Райс (Rice University) продемонстрировали новый тип экспериментально запоминающего устройства, состоящего всего из 10 атомов графена. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить емкость модулей памяти, кроме того данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200°C, сохраняя всю информацию.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


19 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Numonyx выпускает флэш-чипы емкостью 4 Гбайт

Компания Numonyx, совместное предприятие небезызвестных Intel и STMicroelectronics, официально сообщила о расширении модельного ряда интегральных микросхем флэш-памяти – теперь, помимо моделей емкостью 1, 2, 4, 8 и 16 Гбайт, компания может предложить клиентам и устройства емкостью 32 Гбайт. Увеличение вместительности полупроводниковых устройств сразу в два раза реализовано за счет использования более совершенного 41-нм технологического процесса.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Выпущена флэш-память с поддержкой 1 млн циклов перезаписи

Поставщик полупроводников Micron Technology при участии Sun Microsystems разработал технологию создания NAND-памяти с одноуровневой структурой ячеек с существенно увеличенным сроком службы, сообщает DigiTimes.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


18 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Toshiba разработала первый SSD емкостью 512 Гбайт

Компания Toshiba объявила о выпуске новой серии SSD-накопителей, включая первое на рынке твердотельное устройство хранения данных емкостью 512 Гбайт (THNS512GG8B). Помимо полутерабайтового накопителя, серия включает модели емкостью 64, 128 и 256 Гбайт в форм-факторе 1,8 и 2,5 дюйма (кроме наиболее емкого, форм-фактор которого – только 2,5 дюйма). Все они выполнены на базе многоуровневой структуры ячеек (Multi-Level Cell, MLC) и 43-нм техпроцесса.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


17 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Разработана самая миниатюрная ячейка для следующих поколений SRAM

Итогом сотрудничества Toshiba, IBM и AMD стала анонсированная ими на 2008 International Electron Devices Meeting (IEDM) самая миниатюрная фунционирующая ячейка памяти SRAM. Устройство площадью 0,128 мкм2 разработано с применением технологий high-k/metal gate (HKMG) на базе транзисторов FinFET и предлагает ряд преимуществ по сравнению с планарными FET-ячейками.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Toshiba и SanDisk на треть сокращают производство флэш-памяти

Крупнейшие поставщики чипов памяти Toshiba и SanDisk объявили о сокращении производства на треть. Новый режим будет действовать до тех пор, пока не восстановится спрос на эту продукцию.
  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


16 декабря 2008 | Память и цифровые ИС стандартные

Seagate снижает гарантийные сроки на жесткие диски

На сайте Seagate появилась информация о том, что все отгруженные после 3 января 2009 года жесткие диски Barracuda 7200 в OEM-комплектации будут иметь лишь трехлетнюю гарантию вместо прежней пятилетней.
  • 68
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5


40 / 182

1 |2 |3 |4 |5
 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты