Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 19 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

К вопросу об энергопотреблении SSD-накопителей

Одним из основных лозунгов, под которым продвигаются на рынок твердотельные накопители, является их меньший, по сравнению с традиционными жесткими дисками, уровень энергопотребления.

DRAMeXchange: цены на флэш-память NAND стабилизируются к концу лета

По данным агентства DRAMeXchange, средняя цена на флэш-память NAND снизилась во второй половине июня в пределах 5-25% и, по мнению аналитиков, стабилизируется к августу.

Apple заказала у Samsung рекордную партию модулей flash-памяти

Южнокорейский производитель электроники Samsung Electronics сегодня распространил информацию для своих клиентов, где говорится, что в ближайшее время компания может отказаться от приема новых заявок и, возможно, задержать часть партий, так как Apple разместила очень крупный заказ на модули памяти.

 

9 июля

Cypress расширяет портфель быстрой энергонезависимой памяти nvSRAM

Компания добавила в семейство быстрой энергонезависимой памяти nvSRAM (non-volatile static random access memories) 2 Мбит и 8 Мбит приборы, увеличив максимальную емкость семейства с 16 Кбит до 8 Мбит.

Н

овые приборы имеют время доступа 20 нс, неограниченное количество циклов записи и чтения, 20-летний срок хранения данных. Микросхемы nvSRAM могут найти применение в серверах, RAID, в системах промышленного контроля, автомобильной, медицинской и технике и оборудовании связи.

CY14B102 2 Мбит nvSRAM и CY14B108 8 Мбит nvSRAM ROHS-совместимые, могут непосредственно заменять SRAM, батарейные SRAM, EPROM и EEPROM, предлагая надежную энергонезависимую память данных без батарей. Передача данных от SRAM к энергонезависимым элементам устройства происходить автоматически при снятии питания, а после его включения также автоматически перезаписываются обратно в SRAM. Обе операции также доступны под программным управлением.

Новые nvSRAM производятся по Cypress S8™ 0.13 мкм SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) встраиваемой энергонезависимой технологии памяти, которая позволяет увеличить плотность, улучшить время доступа и производительность.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты