Компания IBM и ее партнеры по разработке - AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) - объявили о создании первой в мире работоспособной ячейки SRAM, выполненной по 22 нм нормам.
Изготовление памяти типа SRAM является шагом, предшествующим созданию более сложных приборов, таких, как микропроцессоры. 22-нм ячейка SRAM построена по стандартной схеме с шестью транзисторами. Площадь ячейки — 0,1 мкм2. Размер ячейки SRAM служит ключевой меркой в полупроводниковой отрасли, так что IBM и ее партнеры подтвердили свое лидирующее положение в освоении новых технологий.
Память была изготовлена на опытном производстве IBM, работающем с 300 мм пластинами. Напомним, в передовом серийном производстве сейчас применяются нормы 45 нм. Следующим шагом должно стать освоение 32 нм норм. Другими словами, IBM на два поколения опережает современное серийное производство.
Дополнительная информация здесь