Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 24 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Разработан винчестер без магнитной головки

Японские ученые разработали новый тип жестких дисков, в которых запись информации выполняется не магнитным, а электрическим полем. Предполагается, что они могут быть меньше, эффективнее и быстрее современных магнитных носителей. Однако технология, предлагаемая инженерами, требует доработки.

Ученые создают аппарат «искусственной памяти»

Почему для улучшения зрения есть очки, для решения проблем со слухом - слуховые аппараты, а для памяти нет никаких специальных технических приспособлений? Американские ученые работают над тем, чтобы исправить эту досадную несправедливость.

Выпущены модули памяти типа DDR3-2400 на чипах Elpida

Память типа DDR-3 еще не успела раскрыть весь свой потенциал повышения производительности, и причастные к выпуску модулей памяти компании продолжают работать в этом направлении. Как сообщает японский сайт PC Watch, компания Buffalo анонсировала модули памяти типа DDR3-2400 (PC3-19200), основанные на микросхемах производства Elpida.

 

30 сентября

Samsung приступает к выпуску 16 Гбайт модулей DDR3

Компания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.

К

омпания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.

По заявлению компании, 50 нм 2 Гбайт чипы памяти DDR3 в два раза превышают по плотности сегодняшние 1 Гбайт чипы и экономят более 40% энергии по сравнению с их предшественниками. Также отмечается, что изготовление 2 Гбайт чипов приводит к увеличению производительности на 60%.

Благодаря тому, что новые чипы имеют маленький форм-фактор, присутствует возможность создание модулей с конфигурацией до 8 Гбайт для RIMM и 4 Гбайт для мобильных SODIMM. Использование упаковки с двойной подложкой увеличивает максимальный объем модулей памяти до 16 Гбайт для серверов и настольных компьютеров.

Согласно производителю, 2 Гбайт чип поддерживает скорость передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении 1,5 или 1,35 В. Компания начнет массовое производство 2 Гбайт чипов в конце этого года, а 2 Гбайт DDR3 DRAM в 2009 году. Стоимость продукта вряд ли будет низкой, учитывая, что DDR2 память с объемом 8 Гбайт стоит более $1000.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты