Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 10 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Hynix Semiconductor выпускает 66нм память mobile DRAM плотностью 1 Гбит

Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

SST выпускает два контроллера флэш-памяти типа NAND для мобильных хранилищ

SST анонсировала [[расширение ассортимента контроллеров флэш-памяти]] типа NAND двумя новыми моделями: ATA Flash Disk Controller (SST55VD020) и CompactFlash Card Controller (SST55LC200)

Первые 1 Мбит SPI EEPROM в корпусе SO8

STMicroelectronics представила свои [[первые 1 Мбит EEPROM с интерфейсом SPI]] в узком (150 mil) корпусе SO8N

 

14 августа

Hynix Semiconductor планирует использовать технологию Z-RAM в чипах динамической памяти

Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

Н

овая память использует для хранения одного бита информации ячейку, состоящую из одного транзистора, а в обычной памяти DRAM ячейка представляет собой комбинацию из транзисторов и конденсатора. По сути дела, Z-RAM – первое фундаментальное изменение ячейки DRAM с момента ее изобретения в начале семидесятых годов прошлого века. Как утверждается, Hynix может стать первым производителем, который выпустит продукты Z-RAM на рынок DRAM.

Первоначально, Z-RAM создавалась, как недорогая встраиваемая память для логических микросхем – чипсетов, микропроцессоров, сетевых контроллеров. Именно с таким прицелом, первой, еще в 2005 году, новую разработку лицензировала компания AMD. Примерно через год производитель микропроцессоров приобрел лицензию на второе поколение Z-RAM.

В Hynix считают, Z-RAM подойдет не только на роль встраиваемой памяти – она представляет собой элегантный способ повысить плотность памяти DRAM. По данным ISi, Z-RAM вдвое превосходит по этому показателю встраиваемую память embedded DRAM и в пять раз - embedded SRAM. На данный момент, компания располагает соответствующими разработками, рассчитанными на производство по нормам 90, 65 и 45 нм. Помимо высокой плотности, важным преимуществом Z-RAM является низкая стоимость.

Оцените материал:

Источник: iXBT

Комментарии

0 / 0
0 / 0


 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты