Компания Toshiba объявила о начале серийного производства новой серии флэш памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43 нм техпроцессу.
Специалистам компании удалось вдвое повысить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56 нм нормам и достигнуть максимальной на сегодняшний день плотности памяти. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.
Чипы SLC способны быстро обрабатывать большие объемы данных и были разработаны для применения в устройствах, требующих высокой скорости чтения и записи – мобильных телефонах, LCD панелях, серверах. Скорость записи у чипов SLC в 2.5 раза выше, чем у чипов MLC (Multi-Level Cell).
В последние годы корпорация Toshiba активно продвигала на рынок флэш память типа MLC NAND высокой емкости для карт памяти и mp3 плееров. Производство SLC было ограничено, для него использовались технологические нормы 56 и 70 нм. Расширяя производство SLC высокой плотности, Toshiba рассчитывает укрепить свои позиции в сегменте компонентов, предназначенных для высокопроизводительных приложений.
Контактная информация:
Олег Корчагин, специалист по маркетингу и PR
Московское представительство Toshiba Europe GmbH
+7 (495) 642-8929 #202
Korchagin@toshiba.com.ru