Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 15 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Toshiba начинает производство SLC NAND флэш памяти по 43 нм процессу

Компания Toshiba объявила о начале серийного производства новой серии флэш памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит чипов, изготовленных по 43 нм техпроцессу.

Renesas не оставляет надежды разработать коммерческую MRAM

На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.

UMC первой выпустила 28-нм память типа SRAM

Тайваньская компания UMC, специализирующаяся на производстве полупроводниковых микросхем, объявила о выпуске первых в отрасли полностью работоспособных 28-нм чипов SRAM. Для изготовления этой памяти UMC применила техпроцесс собственной разработки, в котором объединена иммерсионная литография с двойным шаблонированием и напряженный кремний. Размер ячейки SRAM, состоящей из шести транзисторов, примерно равен 0,122 мм2.

 

31 октября

IBM представит 22-нм память в декабре

На конференции производителей электронных устройств IEDM 2008 (IEEE International Electron Devices Meeting, 15-17 декабря 2008, Сан-Франциско) IBM представит ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нм технологии, сообщает The Register. Площадь данной ячейки равна 0,1 мкм2, ячейка будет работать на частоте 3.8 ГГц при напряжении 1.1 В. Всего тестовый чип будет содержать порядка 2 млрд транзисторов.

О

создании 22-нм ячейки памяти SRAM IBM сообщила в августе текущего года. Помимо IBM, в ее разработке участвовали и другие компании из альянса производителей чипов, в частности, AMD.

Компания Intel планирует рассказать на IEDM 2008 о производстве ячеек памяти SRAM по 32-нм техпроцессу. Площадь одной такой ячейки равна 0,171 мкм2, емкость - 291 Мбит.

Помимо Intel, продемонстрировать свою ячейку памяти SRAM, выполненную по 32-нанометровому техпроцессу, на IEDM 2008 намерена компания TSMC. Емкость ячейки равна 2 Мбит, площадь - 0,157 мкм2.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты