Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 13 декабря
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика

Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


Интервью, презентации

Ранее

IBM и TDK объединяются для разработки MRAM

Две корпорации, IBM и TDK, договорились о совместных работах по коммерциализации магниторезистивной [[памяти MRAM]] и выводу ее на рынок

16 Гбит NAND флэш память по 51 нм технологии

Samsung Electronics приступила к серийному выпуску 16 Гбит NAND флэш [[по 51 нм процессу]]

TSMC начинает выпуск встраиваемой флэш-памяти по нормам 0,13 мкм

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале промышленной эксплуатации техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти [[(embedded flash)]].

 

28 августа

Первая последовательная 32 Мбит флэш с Dual I/O

Новая флэш M25PX32 компании STMicroelectronics – первая последовательная 32 Мбит флэш память (Serial Flash) с возможностью sector и sub-sector стирания со сдвоенными входами/выходами [[(Dual I/O)]]

С

емейство M25PX отличается от M25PE более высоким быстродействием. Приборы изготовлены по 0.11 мкм технологии, питаются напряжением от 2.7 до 3.6 В, работают в диапазоне температур от –40 до 85°C, предназначены для использования в ТВ приставках и плоских дисплеях. Из средств безопасности хранения данных применены защита по включению питания, 4-байтовый однократно программируемый (OTP) блокируемый пользователем сектор и режим запрета записи.

Приборы выпускаются в корпусах S08W, MLP8 (5х6 мм) и SO16W. Имеются образцы, серийное производство M25PX32 начнется в Q4 2007. Цена  M25PX32 - $1.55 в партиях от 10,000 штук.

 

Оцените материал:

Источник: STMicroelectronics

Комментарии

0 / 0
0 / 0


 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты