Intel и Micron выпустили 34 нм флэш-память


Компании Intel и Micron объявили о начале массового производства многоуровневой флэш-памяти с соблюдение 34 нм технологии. Емкость ячейки 34 нм флэш-памяти составляет 32 Гбит.

Флэш-память с соблюдением 34 нм техпроцесса будет выпускаться на совместном предприятии IM Flash Technologies. Площадь чипов составит 172 мм2. Они будут штамповаться на 300 мм подложках.

Данная флэш-память предназначена для установки в портативные устройства, например, фотоаппараты, плееры и видеокамеры. Также она может использоваться для создания SSD-накопителей. При этом цена последних окажется ниже, чем у выпускаемых в настоящее время аналогов.

Intel и Micron рассчитывают, что к концу текущего года более половины модулей флэш-памяти на заводе IM Flash Technologies будет выпускаться по 34 нм технологии. В начале 2009 года планируется начать производство одноуровневой флэш-памяти с соблюдением 34 нм техпроцесса.

По материалам Micron.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *