Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 19 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Toshiba разработала первый SSD емкостью 512 Гбайт

Компания Toshiba объявила о выпуске новой серии SSD-накопителей, включая первое на рынке твердотельное устройство хранения данных емкостью 512 Гбайт (THNS512GG8B). Помимо полутерабайтового накопителя, серия включает модели емкостью 64, 128 и 256 Гбайт в форм-факторе 1,8 и 2,5 дюйма (кроме наиболее емкого, форм-фактор которого – только 2,5 дюйма). Все они выполнены на базе многоуровневой структуры ячеек (Multi-Level Cell, MLC) и 43-нм техпроцесса.

Разработана самая миниатюрная ячейка для следующих поколений SRAM

Итогом сотрудничества Toshiba, IBM и AMD стала анонсированная ими на 2008 International Electron Devices Meeting (IEDM) самая миниатюрная фунционирующая ячейка памяти SRAM. Устройство площадью 0,128 мкм2 разработано с применением технологий high-k/metal gate (HKMG) на базе транзисторов FinFET и предлагает ряд преимуществ по сравнению с планарными FET-ячейками.

Toshiba и SanDisk на треть сокращают производство флэш-памяти

Крупнейшие поставщики чипов памяти Toshiba и SanDisk объявили о сокращении производства на треть. Новый режим будет действовать до тех пор, пока не восстановится спрос на эту продукцию.

 

18 декабря

Выпущена флэш-память с поддержкой 1 млн циклов перезаписи

Поставщик полупроводников Micron Technology при участии Sun Microsystems разработал технологию создания NAND-памяти с одноуровневой структурой ячеек с существенно увеличенным сроком службы, сообщает DigiTimes.

Н

овая технология позволяет выполнять около 1 млн циклов перезаписи информации без снижения надежности. Для сравнения, современная флэш-память поддерживает около 10 тыс. циклов перезаписи, после чего сохранность информации уже не гарантируется. Разработчики уверены, что новая технология может использоваться для изготовления микросхем памяти, используемых в корпоративных системах хранения данных, кэш-памяти в жестких дисках, в сетевых устройствах и других областях применения, проявляющих к надежности повышенные требования.

Компания Micron приступила к поставкам тестовых образцов новой памяти емкостью 32 Гбит (4 ГБ), в то время как массовое производство планируется начать а I квартале 2009 г.

Заявленное Micron число циклов не смогло, однако, побить рекорд ученых из японского Института современной прикладной науки и технологий, разработанная которыми память выдерживает 100 млн циклов. Но она выполнена из сегнетоэлектрика, а не полупроводника. Коммерциализация этой технологии планируется в течение нескольких лет.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты