Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 16 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Samsung Electronics начинает массовое производство памяти PRAM

Компания Samsung Electronics объявила на Шестом ежегодном форуме по мобильным решениям (Samsung Mobile Solutions Forum) о начале серийного производства нового типа энергонезависимой памяти PRAM (phase change random access memory).

Углеродные кольца увеличат емкость жестких дисков в 1000 раз

Исследователи установили, что добавление углеродного кольца (например, ячейки графена) к атомам кобальта позволит увеличить плотность записи на жестких дисках в 1000 раз. Статья исследователей еще не принята к публикации, однако ее препринт доступен на сайте arXiv.org (http://arxiv.org/abs/0906.4645).

Samsung и Numonyx разрабатывают спецификации памяти PCM

Компания Samsung объявила о кооперации с Numonyx для разработки спецификаций памяти типа PCM (Phase Change Memory). Работа будет веститись под началом комитета JEDEC. Черновой вариант спецификаций ожидается в текущем году с последующим утверждением и выпуском продукции в 2010.

 

1 декабря

Samsung приступает к производству трехбитной 30 нм памяти MLC

Компания Samsung, крупнейший производитель полупроводниковых микросхем, сегодня выступила сразу с двумя заявлениями.

В

о-первых, компания объявила, что в конце ноября приступила к массовому производству первых в мире микросхем типа MLC NAND с трехбитовой ячейкой, изготавливаемых по 30 нм технологии,

Объем хранимой информации при переходе от двухбитных микросхем к трехбитным возрастает на 50%. Однако, пока новые микросхемы памяти с трехбитной организацией будут применяться только в картах памяти типа MicroSD объемом 8 Гб, а затем перейдут на USB-накопители.

Во-вторых, компания Samsung сообщила о начале массового производства 30 нм микросхем памяти типа MLC плотностью 32 Гбит с интерфейсом DDR. Применение этого интерфейса вместо SDR позволяет поднять скорости записи с 40 до 133 Мбит/с. Уровень энергопотребления при этом не повышается. Память этого типа может применяться в SSD, картах памяти, мобильных устройствах и автомобильных навигационных системах.

В картах памяти микросхемы MLC с интерфейсом DDR демонстрируют увеличение скорости записи с 17 до 60 Мбит/с по сравнению с аналогами, оснащенными интерфейсом SDR. Оба начинания Samsung позволят увеличить долю устройств, оснащенных памятью объемом свыше 32 Гбит.

Оцените материал:

Источник: Overclockers

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты