Компания Samsung объявила о завершении разработки первых в мире микросхем памяти DRAM DDR3, при производстве которых применяется 30-нм технология.
Поданным Samsung, 30-нм микросхемы обладают на 30% меньшим энергопотреблением по сравнению с чипами, производящимися по нормам 40 нм. Это особенно важно для портативной электроники.
Представленный образцы микросхем DRAM DDR3 имеют емкость 2 Гбит; напряжение питания может составлять 1,5 или 1,35 В. Ожидается, что чипы найдут применение в настольных компьютерах, лэптопах, нетбуках, серверах и мобильных устройствах.
Массовое производство 30-нм микросхем DRAM DDR3 планируется к запуску уже во второй половине текущего года.