Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 15 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Твердотельные накопители станут доступнее через 2 года

На твердотельные накопители в IT-индустрии возлагают большие надежды: компактные, быстрые и экономичные в вопросах энергопотребления устройства могут стать отличной заменой устаревающим жестким дискам. Однако произойдет это не ранее чем через два года, считают эксперты. Пока SSD еще слишком дороги по сравнению с HDD.

17 часов HD-видео в одной микросхеме

Toshiba выпустила чип для MП3- плееров и смартфонов емкостью 128 ГБ.

Samsung разработала первую в мире 20-нм память NAND

Компания Samsung объявила о запуске 20-нм технологии производства NAND-памяти.

 

20 августа

MagSil проливает свет на состояние разработок MRAM-памяти

После 7 лет обнадеживающей научно-исследовательской работы по созданию MRAM компания MagSil, наконец, сообщила о некоторых деталях создания этой технологии.

Корпорация MagSil разрабатывает архитектуру ячеек MRAM (MRAM – Magnetoresistive Random-Access Memory – магниторезистивная оперативная память). Структура этого запоминающего устройства основана на использовании схемы магнитного туннельного перехода. Разработка энергонезависимой памяти MRAM ведется с 1990 гг., при этом многие заявления о ее создании оказались фальшивыми. Это труднореализуемая и плохо масштабируемая технология.

По сообщениям прессы, технология этой компании базируется на патенте Массачусетского технологического института (МТИ), исключительное право на использование которого принадлежит MagSil. Корпорация MagSil и МТИ предъявили иски к другим компаниям, связанные с нарушениями патентного права.

В 2006 и 2007 гг. MagSil создала 1-Мбит MRAM. В настоящее время MagSil разрабатывает устройства на базе технологий 130- и 90-нм с размером ячейки 10F2. По словам Криша Мани (Krish Mani), основателя и главного технического директора MagSil, компания «очень скоро» разработает автономное MRAM-устройство. Точная дата не была уточнена. Со временем MagSil планирует создать 64-Мбит устройство.

Усилия MagSil сосредоточены на создании высокоскоростного устройства. Мани рассчитывает на то, что в ближайшее время исследователям все-таки удастся заменить SRAM-память, за которой последует встраиваемая RAM.

Недавно MagSil и МТИ подписали внесудебное соглашение с корпорацией Western Digital, в соответствии с которым эта корпорация и ее дочерние компании получили лицензию на патент, иск по которому рассматривается в суде.

До сих пор не закончилась тяжба в федеральном суде Делавара против компаний Hitachi Global Storage Technologies, Hitachi Data Systems, Hitachi America и Shenzen ExcelStor Technology. Ответчики, которые производят и продают жесткие диски, а также их компоненты, используя туннельную магниторезистивную технологию, обвиняются в нарушении права патентовладельца – МТИ.

Помимо Western Digital, к настоящему моменту MagSil достигла внесудебного соглашения с компаниями Seagate Technologies, SAE Magnetics and Headway Technologies.
Несколько компаний предприняло неудачные попытки коммерциализировать MRAM. Другие, в т.ч. Crocus Technology, Grandis, IBM-TDK, Samsung, Toshiba и Avalanche Technology, намереваются стать участниками рынка MRAM. Некоторое время Everspin (компания, отпочковавшаяся от Freescale Semiconductor) продавала запоминающие MRAM-устройства для замены SRAM.

Источник: EETimes.com

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты