Компания SanDisk в своем пресс-релизе сообщает, что завершила разработку 3-битовой (3-Bit-Per-Cell, x3) [[NAND флэш памяти]] и намерена в марте-апреле 2008 года начать серийное производство первых коммерческих 16 Гбит приборов
Микросхемы будут изготавливаться по 56 нм технологии, на пластине их будет на 20% больше по сравнению со стандартной MLC (Multi-Level Cell) NAND флэш кристаллами с двумя битами информации на ячейку (2-bits-per-cell) при аналогичных технологических нормах.
Технология x3 была разработана SanDisk совместно с Toshiba и представлена на международной конференции по твердотельным приборам ISSCC 2008 (Solid-State Circuits Conference, 3-7 февраля 2008 года, Сан-Франциско). По данным компании, скорость записи 16 Гбит «3 bits-per-cell» NAND чипов составляет 8 Мбайт/с.
SanDisk также сообщила о завершении разработки Multi-Level (MLC) NAND флэш по 43 нм технологии, которую компания вела совместно с Toshiba. Плотность новых чипов вдвое выше по сравнению с 56 нм 16 Гбайт приборами. Начало серийного производства MLC запланировано на второй квартал 2008 года. Первоначально будут выпускаться приборы емкостью 16 Гбайт, а со второй половины 2008 года — 32 Гбайт.