Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 14 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Микросхемы синхронизации от National Semiconductor с низким джиттером выходного сигнала

Компания National Semiconductor представила [[семейство из трех буферов, делителей и распределителей тактовых сигналов]], которые позволяют упростить разработку блоков системной синхронизации и обеспечивают наименьший в отрасли уровень аддитивных помех.

BPM Microsystems сделала апгрейд программаторам 7-го поколения

Новые программаторы полностью заменят нынешнюю 7th Generation [[продуктовую линейку]]

Toshiba приступила к производству SSD нового поколения

Компания Toshiba приступила к массовому производству твердотельных накопителей (Solid State Drive – SSD) на базе MLC-технологии, то есть с применением многоуровневых ячеек NAND-памяти.

 

28 марта

Награждена микросхема 4-мегабитного ферроэлектрического ОЗУ (FRAM) от Ramtron

Микросхема FM22L16 получила награду [[«Продукт года»]] по версии EPC (Electronic Products China). Она обошла сотни других претендентов по новизне разработки, отношению цена/качество и технологическому прорыву.

М

икросхема была разработана совместно с Texas Instruments и основана на совершенно новом подходе, способном изменить принципы построения современных схем памяти.

Это первая 4 Мбит энергонезависимая F-RAM память. FM22L16 имеет организацию 256Кх16, параллельный метод доступа, питается от источника 3 В, выпускается в 44-выводных корпусах TSOP и рассчитана на работу в промышленном диапазоне температур от -40 до 85°С. Время доступа составляет 55 нс, а один такт занимает 110 нс. Данные могут перезаписываться 1014 раз и храниться в течении 10 лет.

Микросхема FM22L16 совместима со стандартными асинхронными статическими ОЗУ, но обладает лучшими характеристиками. В частности, для нее не требуется батареи аварийного питания, что существенно повышает надежность системы. Вторым ее преимуществом является неподверженность действию влаги, сотрясениям и вибрации.

Микросхема FM22L16 является одной из самых быстрых на рынке. Ее пропускная способность составляет 80 Мбайт/с. Она очень экономна и потребляет ток 18 мА в циклах записи и чтения и 5 мкА в спящем режиме.

Более подробную информацию о FM22L16 и других микросхемах FRAM с высокой степенью интеграции можно узнать здесь

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты