Intel, Samsung и TSMC готовятся с 2012 г. начать переход на пластины диаметром 450 мм


Три крупнейших производителя кристаллов 6 мая объявили, что пришли к соглашению о необходимости широкого, в рамках всей индустрии, сотрудничества для осуществления, начиная с 2012 г., миграции полупроводникового производства [[на более крупные кремниевые заготовки]] - диаметром 450 мм.

Такой шаг будет содействовать дальнейшему развитию отрасли, помогая сохранить приемлемую ценовую структуру будущих продуктов и приложений.

По общей площади поверхности (т.е. и по количеству получаемых микросхем) 450 мм пластины более чем вдвое превосходят современные 300 мм заготовки, но затраты на производство растут не столь быстро, благодаря чему достигается существенная экономия энергии, воды и сокращение выброса вредных для окружающей среды газов.

В прошлом, цикл перехода на более крупный формат пластин, длился в среднем 10 лет: 200 мм производство дебютировало в 1991 г., а заводы 300 мм заготовок начали работать в 2001 г. В соответствии с этой традицией компании наметили в качестве нового рубежа 2012 г., подчеркнув, что сложность проекта требует постоянного отслеживания его реализации и корректирования этой даты.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *