До конца года GS Nanotech произведет первые полмиллиона чипов SiP Amber S2


В мае 2014 года холдинг GS Group заявлял о готовности производить микросхемы по технологии SiP. Технология производства и сама микросхема были проработаны, оттестированы и запущены в массовое производство. До конца этого года предприятие GS Nanotech выпустит первые полмиллиона чипов. Микросхема получила название SiP Amber S2 и является единственной в России микросхемой по технологии SiP коммерческого назначения.

В этом году предприятие GS Nanotech, входящее в состав инновационного кластера «Технополис GS» в Калининградской области, первым в России наладило массовый выпуск многокристального микропроцессора коммерческого назначения по технологии SIP (System-in-Package, «Система-в-корпусе») – GS Nanotech SiP Amber S2. Устройство было полностью разработано R’n’D-подразделением GS Nanotech. Само предприятие является крупнейшим в стране центром разработки и производства микроэлектронной продукции потребительского назначения и единственным заводом, предоставляющим услуги по проектированию и сборке многокристальных модулей по технологии SiP на контрактной основе.

На сегодняшний день во многих электронных бытовых устройствах – цифровых фотокамерах, сотовых телефонах, MP3-плеерах – повсеместно используются многокристальные микропроцессоры. Предприятие GS Nanotech стало первым в России, кто начал применять технологию SiP для потребительского рынка и выпускать большие объемы таких микросхем в коммерческих целях. Это можно назвать важным шагом в области развития области отечественной потребительской электронной индустрии.

Микрочип, созданный по технологии SiP, – это комбинация в едином модуле нескольких активных электронных компонентов разной функциональности, что позволяет создать высокоинтегрированный продукт, необходимый для конкретного устройства и чаще всего выпускаемый на заказ. GS Nanotech SiP Amber  S2 представляет собой центральный процессор с интегрированным сопроцессором GS Lanthanum, оперативной памятью DDR3 и NOR FLASH накопителем. Готовая конструкция обладает компактными размерами, повышенной защищенностью данных, значительно более высокой скоростью передачи сигналов и имеет сниженную себестоимость, что важно для современных производителей электроники. Эти характеристики определили широчайшую сферу возможного применения микропроцессора GS Nanotech SiP Amber S2: телекоммуникации, системы безопасности, медицина и т.д.

На сегодняшний день микросхема GS Nanotech SiP Amber S2 является центральной частью выпускаемого холдингом GS Group под брендом General Satellite современного спутникового ресивера, поддерживающего прием каналов в HD‑качестве. В ноябре 2014 года состоялся запуск массового производства новой линейки абонентских устройств на базе GS Nanotech SiP Amber S2. До конца 2014 года завод выпустит 500 000 микрочипов данного типа, а к концу 2015 году производство выйдет на плановые мощности – 2 млн микрочипов в год.

Проект по разработке микросхемы по технологии SiP стартовал на предприятии GSNanotech в сентябре 2013 года. В январе 2014 года была произведена успешная валидация первого прототипа, уже весной состоялась валидация второго прототипа, а в августе был объявлен старт массового производства GS Nanotech SiP Amber S2. Ровно через год от начала проекта – в сентябре 2014 года – первая партия микрочипов была отгружена заказчику.

GS Nanotech (ОАО «ДжиЭс-Нанотех») – центр разработки и производства микроэлектронной продукции. Производственная мощность – 10 млн микрочипов в год, с возможностью расширения до 20 млн в год. Единственное предприятие в России, предоставляющее услуги по проектированию и сборке многокристальных модулей на контрактной основе по технологии SiP (System-in-Package – «Система-в-корпусе»). GS Nanotech предлагает для внешних заказчиков корпусирование любых цифровых, аналоговых и гибридных микросхем в различные виды корпусов BGA, LGA, QFN, а также полный спектр услуг по автоматическому функциональному тестированию интегральных схем в соответствии со стандартами JEDEC.

Источник: пресс-релиз

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *