Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 9 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Серверный процессор «Байкал» с господдержкой в 1,2 миллиарда обречен задержаться минимум на 1,5 года

Новое руководство «Байкала» приняло разработку серверного чипа, поддержанную субсидией Минпромторга в 1,2 млрд руб., с просрочкой графика реализации проекта как минимум в полтора года. О результатах компания должна была отчитаться до 30 ноября 2019 г. Теперь ей грозят огромные штрафы. Повторяется история с разработкой чипа для ПК. Ситуацию комментирует компания и Минпромторг.

На «Эльбрусах» создали 3D-ноутбук для подводных лодок

В Ижевске разработан ноутбук ЗН-АРМ ДЛ на процессоре «Эльбрус 1С+» и с отечественной операционной системой. За счет улучшенной защиты от влаги и пыли он может эксплуатироваться на подлодках и кораблях ВМФ.

Суд разрешил распознавать лица россиян через камеры наблюдения

Савеловский районный суд Москвы признал законным слежку за жителями столицы через подключенные к технологии распознавания лиц видеокамеры. В мотивировочной части решения суда по иску активистки Алены Поповой сказано, что вторжения в частную жизнь не происходит.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

28 ноября 2019

Российские учёные совершили прорыв в создании сегнетоэлектрической памяти

Группа специалистов из лаборатории функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ, работая совместно с коллегами из Германии и США, совершила прорыв на пути к созданию новой энергонезависимой памяти.

Р

оссийские ученые смогли изучить распределение электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора — основы памяти будущего.

Ученым из МФТИ удалось разработать уникальную методику измерения распределения электрического потенциала внутри так называемого сегнетоэлектрического конденсатора, который является ключевым элементом перспективной энергонезависимой памяти, и опробовать ее на сегнетоэлектрических конденсаторах, изготовленных в МФТИ. Ранее исследователи оперировали только математическими моделями.

Открытие сегнетоэлектрических свойств HfO2 в определенной фазе заставило ученых вновь вернуться к идее постоянной памяти, основанной на диэлектриках этого типа: оксид гафния годится для современной электронной промышленности и, более того, давно освоен ею.

Элементарная ячейка памяти нового типа представляет собой тончайший — менее 10 нанометров — слой сегнетоэлектрического оксида гафния, к которому с двух сторон примыкают управляющие электроды. Конструкция похожа на обычный электрический конденсатор, но для того, чтобы сегнетоэлектрические конденсаторы можно было использовать в качестве ячеек памяти, необходимо добиться максимально возможной величины поляризации, а для этого — детально изучить физические свойства этого нанослоя. Одна из важнейших частей этого знания — представление о том, как распределяется электрический потенциал внутри слоя при подаче напряжения на электроды. За десять лет, прошедших с момента открытия сегнетоэлектрической фазы HfO2, никому из исследователей не удавалось изучить это распределение потенциала непосредственно: использовали только различные математические модели. А авторам опубликованной работы — удалось.

Для этого они применили метод так называемой высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Специальная методика, разработанная сотрудниками МФТИ, требовала применения рентгеновского излучения, которое можно получить только на специальных ускорителях-синхротронах. Такой находится в Гамбурге (ФРГ). Там и были проведены измерения на прототипах будущих ячеек «новой памяти» — сегнетоэлектрических конденсаторах на основе оксида гафния, изготовленных в МФТИ.

Ожидается, что новая память будет на порядок быстрее флеш-памяти, а по ресурсу превзойдет ее миллион раз.

«В основе методики лежит явление фотоэффекта — говорит Юрий Матвеев, один из авторов, научный сотрудник гамбургского синхротрона Deutsches Elektronen-Synchrotron. — Измеряя энергию вылетающих из сегнетоэлектрика фотоэлектронов в сочетании с определенными схемами облучения структур, нам удалось получить картину локального электрического потенциала по всей толщине слоя с нанометровым разрешением».

По словам Андрея Зенкевича, созданные коллегами в МФТИ сегнетоэлектрические конденсаторы, если их применить для промышленного изготовления ячеек энергонезависимой памяти, способны обеспечить 10^10 циклов перезаписи — в сто тысяч раз больше, чем допускают современные компьютерные флешки.

Работа была поддержана Российским научным фондом.

Источник: Пресс-служба МФТИ

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты