Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 23 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Совместное предприятие Infineon и LS Industrial Systems

Корейское предприятие LS Industrial Systems и компания Infineon учредили совместное предприятие. LS Power Semitech, которое будет разрабатывать, изготавливать и реализовывать силовые модули (power modules) Leistungsmodulen для бытовых приборов, стиральных машин, холодильников, кондиционеров, а также других потребительских и промышленных приложений.

Разработан сверхширокополосный радиочип

Исследователи из Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) разработали радиочастотный микрочип, работающий на том же принципе, что и внутреннее ухо человека (улитка).

Globalfoundries приступила к строительству фабрики в Нью-Йорке

В марте 2009 г. завершилась сделка по отделению от AMD производственных мощностей и формированию новой компании Globalfoundries, которая планирует стать одним из крупнейших мировых производителей кристаллов. В качестве своих прямых конкурентов руководство Globalfoundries рассматривает такие крупные предприятия, как тайваньскую TSMC и южнокорейскую Samsung.

 

16 июня

Toshiba заявила о прорыве в области германиевой технологии для 16-нм кристаллов

Компании Toshiba удалось совершить в технологии изготовления полупроводников прорыв, который имеет большое значение для будущего проектирования кристаллов по нормам 16 нм.

В

настоящее время самой передовой технологией в полупроводниковом производстве для коммерческой продукции является 30-нм процессс для устройств памяти и 40-нм процесс – для логических микросхем. Работа велась над совершенствованием затвора и промежуточного слоя с высокой подвижностью носителей MISFET-транзисторов (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник, МДП). Базовой технологией для этих транзисторов по проектной норме 16 нм и ниже является использование high-k/Ge-затвора с масштабируемой эквивалентной толщиной оксида EOT (equivalent oxide thickness) и с промежуточным слоем из германида стронция (SrGex) с высокой подвижностью носителей.

В настоящее время в каналах MISFET-транзисторов используется кремний, однако физические ограничения затрудняют получение требуемого тока управления в этих транзисторах при переходе на более совершенные технормы. Подвижность носителей в германии достаточно высокая, но имеются проблемы с реализацией устройства такого типа.

Совершенствование затворных структур германиевых MISFET-транзисторов представляет определённые трудности. В печати сообщалось об успехах в достижении высокой дырочной подвижности при использовании диоксида германия в изолирующем слое затвора, но из-за низкой диэлектрической проницаемости по-прежнему не был решён вопрос об уменьшении EOT до размера 0,5 нм, что требуется для перехода на 16-нм норму и ниже.

Компания Toshiba заявила о том, что ей удалось преодолеть трудности по созданию тонкого затвора, сохранив высокую дырочную подвижность за счёт введения промежуточного слоя SrGex между изолирующим слоем high-k и германиевым каналом. Максимальное значение подвижности дырок составляет 481см2/(В∙с).

Компания продолжит совершенствование этой технологии в качестве возможного варианта реализации германиевого MISFET-транзистора для кристаллов, выполненных по технормам 16-нм и ниже. Технология будет представлена на этой неделе на мероприятии 2009 VLSI Symposia, которое состоится в Киото, Япония.

Оцените материал:

Источник: ElectronicsWeekly

ff

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты