AMD намеревается стать участником рынка планшетных компьютеров, но для этого ей понадобится процессор Wichita – обновленная модель Ontario, чтобы завоевать прочное положение на быстро развивающемся рынке.
9-Вт процессор Ontario в настоящее время применяется в небольших ноутбуках и нетбуках. Кроме того, компания, как и остальные лидеры индустрии, будет каждый год вдвое уменьшать топологические размеры элементов на базе новых производственных технологий.
В настоящее время некоторые OEM-производители создают планшетные компьютеры с использованием Windows и 1,2-ГГц процессора Ontario. Однако процессор Wichita, изготовленный по нормам 32 или 28 нм, будет более предпочтительным выбором. В обоих процессорах применяются графические ядра DirectX 11, а также Bobcat – новое ядро x86 с малым потреблением, анонсированное в августе текущего года. 40-нм процессоры будут оснащаться двумя такими ядрами, работающими на частотах до 1,6 ГГц.
По мнению Чака Мура (Chuck Moore), главного технолога AMD, «1–3-Вт процессоры найдут широкое применение на рынке планшетных компьютеров».
«Сейчас рынок планшетных компьютеров только начинает развиваться, поскольку он представлен, по большей части, лишь устройствами iPad, – считает глава AMD Дирк Мейер (Dirk Meyer). – На мой взгляд, этот рынок потеснит нетбуки в большей мере, чем те потеснили рынок ноутбуков». По оценкам AMD, объем рынка нетбуков, являющегося одним из целевых для процессоров Ontario, в 2011 г. не вырастет, составив 35–45 млн шт.
AMD присоединится к гигантам промышленности GlobalFoundries и TSMC, поддерживая каждый год переход на технологии с вдвое меньшими топологическими размерами. Об этом в своем интервью заявил Чекиб Акрут (Chekib Akrout), генеральный директор технологического отдела AMD.
Производство 32-нм процессора Llano для настольных компьютеров и ноутбуков начнется в июне следующего года. В нем будет использоваться графический процессор и ядра x86 старшего поколения Stars.
К середине 2012 г. AMD намеревается начать производство 28-нм кристаллов; к концу 2013 г. начнется производство по 20-нм технологии, а во второй половине 2015 г. – по 14-нм процессу. Главные задачи, которые предстоит решить компании на этом пути, заключаются в реализации сложных литографических методов, например, методов двойного формирования рисунка и создания сквозных переходных отверстий для интеграции DRAM в кристаллы. По мнению Мейера, проблема, связанная со сквозными переходными отверстиями в кремнии (TSV), будет успешно решена к 2012–2013 гг.
Источник: EETimes