Компании IBM и Samsung Electronics заявили о сотрудничестве в области исследования новых полупроводниковых материалов, производственных и других технологий.
Это соглашение позволяет обновить совместный проект компаний по разработке 20-нм техпроцесса. Впервые инженеры-исследователи компании Samsung станут работать сообща с учеными из IBM в рамках альянса SRA (Semiconductor Research Alliance) в Нанотехнологическом комплексе в Олбани (Albany NanoTech Complex).
В процессе этого сотрудничества будут исследованы новые материалы и транзисторные структуры, а также инновационные технологии межсоединения и корпусирования для техпроцесса следующего поколения.
О других подробностях договора не сообщается. Компании IBM, Infineon, Freescale, GlobalFoundries, Renesas, Samsung, ST, Toshiba и другие являются членами «производственного клуба» IBM, занимающегося разработкой техпроцесса.
По-прежнему не решен вопрос о том, удастся ли Samsung перейти на технологию high-k. Изначально Samsung планировала внедрить технологию high-k/gate-first, позволяющую бороться с утечками тока с помощью затвора транзисторов не из кремния, а из металла с высокой диэлектрической постоянной (high-k). Ранее сообщалось о том, что эта технология будет использоваться в 32- и 28-нм процессах для фаундри-заказчиков в 2011 г.
Технология gate-first уже разработана и в настоящее время широко применяется членами клуба IBM. Однако на недавней встрече IEEE International Electron Devices Meeting 2010 в Сан-Франциско Samsung заявила о создании конкурентной технологии gate-last high-k/metal gate devices.
Данное обстоятельство, свидетельствующее о значительном отклонении Samsung от изначально принятого решения, возможно, привело к разногласиям между участниками альянса и, в первую очередь, между IBM и Samsung. Однако новое соглашение, похоже, говорит о том, что эти размолвки преодолены.
Альянс по-прежнему далеко отстает от Intel, которая поставляет 45- и 32-нм процессоры на базе технологии gate-last/high-k.
Источник: EETimes