Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 24 апреля
 
 

Это интересно!

Ранее

США оставляют за собой право на использование военной силы в случае проведения против них кибератаки

США оставляют за собой право на использование всех необходимых средств, включая военную силу, в случае проведения против них крупной кибератаки. Об этом говорится в докладе «Международная стратегия по киберпространству», обнародованному в понедельник Белым домом.

Количество заказов на 28-нм производство TSMC утроилось

Число заказов на начальном этапе производства ИС по норме 28 нм, размещенных на фаундри Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., более чем втрое превысило число заказов на аналогичном этапе изготовления 40-нм ИС.

Microsoft покупает Skype за $8,5 млрд

Корпорация Microsoft согласилась заплатить $8,5 млрд за популярный сервис интернет-телефонии Skype. Как было объявлено сегодня в Нью-Йорке, сделка станет крупнейшей за всю 36-летнюю историю софтверного гиганта и уже одобрена советами директоров обеих компаний.

 

17 мая

Micron выигрывает в результате закрытия Innovative Silicon

Компания Innovative Silicon, образованная в 2002 г. и разработавшая ячейку памяти Z-RAM на основе единственного транзистора с эффектом плавающего заряда (floating-body cell, FBC), прекращает свое существование.

М

айкл Ван Бускирк (Michael Van Buskirk), директор по производству Innovative Silicon, не сообщил, кто приобрел активы компании, но есть все основания считать, что одним из основных покупателей стала компания Micron Technology.

Innovative Silicon, частная фирма с венчурным капиталом, была учреждена в 2002 г. Пьером Фазаном (Pierre Fazan) и Сергеем Охониным.

Фазан, бывший технический директор и председатель правления Innovative Silicon, ныне работает менеджером по проектированию в компании Micron. Охонин, бывший главный научный сотрудник Innovative Silicon, стал учредителем компании ActLight Inc.

Технология памяти Z-RAM основана на использовании более дорогостоящих подложек КнИ (silicon-on-insulator – кремний на изоляторе), чем объемные КМОП-пластины. Кроме того, Z-RAM еще не получила широкого применения в индустрии.

Компания Innovative Silicon разработала низковольтную ячейку памяти DRAM на основе эффекта плавающего напряжения на затворе транзистора. По словам Вана Бускирка, изначально технология Z-RAM не была масштабируемой и не обеспечивала высокую надежность.

В 2009 г. компании Innovative Silicon и Hynix Semiconductor Inc. представили результаты совместной разработки технологии объемной памяти Z-RAM на симпозиуме VLSI Technology Symposium, а в 2010 г. эти компании выступили на том же мероприятии с докладом о ячейке памяти Z-RAM с использованием эффекта плавающего напряжения на вертикальном двойном затворе транзистора.

Неизвестно, какая из двух компаний – Micron или Hynix – продолжит работу по совершенствованию этой технологии.

Источник: EETimes

Компания Innovative Silicon получила 47 млн долл. в качестве венчурного капитала. Похоже, что права на ее патенты перешли компании Micron.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты