Южнокорейская компания Samsung приступила к производству Line-16 флэш-памяти NAND в комплексе Nano City.
По данным Samsung, она запустила также первое в отрасли серийное производство DDR3 DRAM-памяти по технологической норме 20 нм. Микросхемы памяти этого типа будут выпускаться на отдельной фабрике Samsung.
По словам Кун-хи Ли, председателя совета директоров Samsung Electronics, поскольку мировая полупроводниковая отрасль находится в состоянии ярко выраженной циклической волатильности, открытие новой фабрики для выпуска микросхем памяти и серийного производства 20-нм DRAM-памяти являются важными вехами в деле укрепления лидерства Samsung.
Samsung инвестировала около 10,2 млрд долл. в фабрику Line-16, строительство которой началось в мае прошлого года. Предполагаемый объем выпуска 20-нм памяти NAND на базе 300-мм кремниевых пластин составит 10 тыс. шт. в месяц.
В следующем году Samsung планирует начать производство 10-нм кристаллов памяти с большой плотностью и производительностью.
Источник: EETimes