Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 26 января
 
 

Это интересно!

Новости

Приглашение к участию в ежегоднике «Живая Электроника России» 2020


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Затоваривание мирового рынка DRAM снизится на 13%

Избыточный объем микросхем DRAM на мировом рынке пойдет на убыль с 17 до 13% в первой половине 2012 г. благодаря сокращению производства.

Globalfoundries анонсирует начало производства 20-нм кристаллов

Компании ARM Holdings и Globalfoundries заявили о передаче в производство 20-нм кристаллов и представили 28-нм систему на кристалле Cortex-A9, которая работает на частоте 2,5 ГГц.

TSMC в одиночку займется производством 3D-микросхем

TSMC возьмет на себя весь цикл изготовления ИС по технологии трехмерного монтажа. Некоторые фаблесс-разработчики заявляют, что это решение ограничивает их возможности.

 

16 декабря 2011

Renesas разработала 40-нм флэш-память для автомобильной электроники

Компания Renesas Electronics заявила о разработке технологии встраиваемой флэш-памяти на 40 нм.

R

enesas сообщает, что эта технология будет использоваться в микроконтроллерах систем автомобильной электроники, а опытные образцы ИС памяти появятся во второй половине 2012 г.

Технология, лежащая в основе этих микросхем памяти, позволяет сохранять данные около 20 лет, а количество циклов программируемого стирания достигает 125 тыс. Кроме того, память обеспечивает выполнение операций чтения при температуре p-n-перехода вплоть до 170°С, а также поддерживает синхронизацию скорости чтения до 120 МГц. Эта память изготовлена по технологии MONOS (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon). 

Источник: EETimes

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты