25 лет с момента появления флэш-памяти NAND и NOR


Компания Toshiba отмечает знаменательную дату, 25 лет со дня создания флэш-памяти.

В честь этого события в течение года будет проведено несколько праздничных мероприятий.

Принцип, положенный в основу популярных в настоящее время модулей памяти, был описан в 1987 г, хотя задумка появилась намного раньше, еще в начале 80-х. Его придумал Фуджио Масуока, который тогда работал в Toshiba. Впервые он представил концепцию флэш-памяти NOR и NAND в 1984 г. на международном собрании International Electron Devices Meeting (IEDM).

В основе флэш-памяти лежит EEPROM. Главное преимущество NAND и NOR перед EEPROM заключается в том, что стирание данных производится значительно быстрее.

Концепция в течение долгих лет так и оставалась на бумаге, поскольку в Toshiba не торопятся с внедрением новых технологий, пока ей не занялась Intel. В 1988 г. компания выпустила первый чип, 28F256.

В честь юбилея в течение года будет проведено несколько праздничных мероприятий.

Источник: Electronics Weekly

Читайте также:
NAND или NOR… какую флэш-память выбрать для проекта?
Spansion и SK Hynix займутся производством микросхем SLC NAND
В большинстве сегментов ИС будет наблюдаться рост в 2012 г.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *