Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 22 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Strategy Analytics: в 2012 г. зафиксирован рост доходов на рынке GaAs-приборов

По данным Strategy Analytics, выручка от продаж полупроводниковых приборов на арсениде галлия (GaAs ) за 2012 г. составила небольшой прирост, в основном, за счет роста доходов в IV кв. 2012 г.

Технорма 14 нм принесла множество конструкторских проблем

Внедрение технологической нормы 14 нм окажется более сложным, чем представлялось ранее.

IC Insights: лишь 25% чипов в мире производятся по технормам менее 40 нм

До сих пор около 22% мировых мощностей предназначено для п/п-технологий с нормами от 80 нм до 0,2 мкм, к которым относятся поколения техпроцессов 90 нм, 0,13 и 0,18 мкм! Категория >0,4 мкм занимает большую часть всех мощностей, несмотря на то, что она существует уже более полутора десятка лет.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

15 апреля 2013

IBM дала 1 млрд долл. на революцию во флеш-памяти

IBM вложит 1 млрд долл. в разработку и создание флеш-памяти для центров обработки данных. Деньги пойдут, в том числе, на открытие 12 исследовательских центров, в которых потенциальные клиенты смогут опробовать новую технологию на реальных примерах.

К

орпорация IBM объявила о намерении вложить 1 млрд долл. в исследования, разработку конструкции и выпуск флеш-памяти и технологий ее интеграции в серверы и системы хранения данных будущих поколений.

В компании считают, что флеш-память способна сократить время отклика в серверах и системах хранения данных (СХД) от миллисекунд до микросекунд по сравнению с жесткими дисками. Отсутствие движущихся частей делает флеш-память теоретически более надежной, долговечной и экономичной с точки зрения электропитания технологией.

Эти свойства флеш-памяти привели к ее распространению на рынке потребительской электроники, где она используется практически во всех устройствах от плееров до планшетов. С учетом роста объемов информации, потребности в более быстром анализе данных и энергопотребления центров обработки данных флеш-память становится ключевым компонентом современного предприятия, утверждают в IBM.

«Экономичность и производительность флеш-памяти способны оказать революционный эффект на предприятии, особенно если оно работает с большим количеством операций, – прокомментировал генеральный директор по системам хранения в подразделении IBM Systems & Technology Group Эмбуж Гойал (Ambuj Goyal). – Конвергенция больших данных, социальных, мобильных и облачных технологий создают среду, в которой бизнесу необходим более быстрый и эффективный доступ к прогнозам, и флеш-память предоставляет такой доступ».

Часть средств пойдет на открытие 12 исследовательских центров по всему миру. Здесь клиенты смогут моделировать системы с решениями хранения IBM на основе флеш-памяти, с использованием реальных данных для обработки, и увидеть, насколько более эффективной является эта технология. Ожидается, что в числе первых клиентов IBM окажутся финансовые институты, брокерские компании и пр.

Разработчики утверждают, что флеш-память способна обеспечить до 90% более короткое время выполнения процедур обработки операций в банковской сфере, на бирже, в сфере телекоммуникаций и на 85% более быструю работу решений бизнес-аналитики и планирования ресурсов предприятия. При этом обеспечивая 80-процентное снижение потребления электрической энергии.

Центры планируется открыть в Китае, Франции, Германии, Индии, Сингапуре, Южной Америке, Великобритании и США. Все они начнут свою работу к концу 2013 г.

Корпорация также анонсировала линейку оборудования для хранения данных на базе флеш-памяти IBM FlashSystem, которая, как утверждают в компании, предлагает клиентам мгновенную возможность воспользоваться преимуществами данной технологии. К примеру, компактная система IBM FlashSystem 820 «размером с коробку для пиццы» способна вместить 24 Тбайт данных и обеспечить в 20 раз более высокую скорость в сравнении с жесткими дисками.

Читайте также:
Краткая история развития устройств памяти
Разработана самовосстанавливающаяся флэш-память
Samsung анонсирует 10-нм NAND-память eMMC
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Разработана память в 1000 раз быстрее флэш
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
ARM, Atom и мемристоры — будущее серверов, считают в HP Labs
ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики
IBM и ST возвращаются к логике на реле взамен транзисторной
IBM достигла прорыва в технологии флэш-накопителей
IBM совершила прорыв на пути создания квантового компьютера

Источник: CNews

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты