Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 23 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Globalfoundries реализовала технологию 3D-TSV на 20 нм

В начале месяца в Globalfoundries объявили о запуске чипов следующего поколения для мобильных и потребительских приложений, изготавливаемых по 3D-технологии, что стало важным этапом в рамках стратегии развития компании.

Квартальная прибыль Intel рухнула на четверть

Квартальная прибыль крупнейшего мирового производителя микропроцессоров снизилась на 25%. Прибыль сократилась, в основном, из-за падения спроса на персональные компьютеры, говорится в пресс-релизе компании.

Altera покупает TPACK и расширяет диапазон своих OTN-решений

Altera Corporation объявила о своем решении купить компанию TPACK, на 100% принадлежащую Applied Micro Circuits Corporation.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

19 апреля 2013

Технология embedded CBRAM теперь доступна для демонстрации на 130-нм КМОП-техпроцессе

Altis анонсировала свое новое поколение технологии встроенной CBRAM (eCBRAM). Новая платформа будет доступна для демонстрации во втором квартале 2013 г.

Н

овую технологию отличают улучшения в конструкции и производственом процессе, которые обеспечивают более высокую надежность и большую скорость записи.

Технология eCBRAM (Conductive Bridging RAM – память с проводящим мостом) была разработана благодаря партнерству Altis с Adesto Technologies и позволит улучшить фаундри-портфолио Altis по eNVM (embedded non-volatile memory – встроенная энергонезависимая память), сегодня основанное на 130-нм КМОП-технологии.

eCBRAM – это инновационная встроенная память, объединяющая гибкость EEPROM с плотностью встроенной флеш-памяти. 130-нм технология eCBRAM от Altis на 100% совместима с 130-нм Low Power Platform (энергоэкономной платформой) Altis. Для повышения экономической эффективности новых заказных дизайнов Altis предлагает заказчикам преимущества разделения затрат в своей программе мультипроектных пластин (MPW – multi-product wafer). Программа мультипроектных пластин уже открыта для заказчиков новых eCBRAM-дизайнов.

Читайте также:
Энергонезависимая флэш-память B4-Flash нашла коммерческое применение
И снова — шумный спор о мемристорах
«Универсальная» память вместо флэш-памяти и DRAM
Micron первой в мире начала производство «фазовой» памяти
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Чипы памяти при нормах ниже 20 нм будут использовать нанотрубки
RRAM появится вслед за многослойной флэш-памятью

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты