Altis анонсировала свое новое поколение технологии встроенной CBRAM (eCBRAM). Новая платформа будет доступна для демонстрации во втором квартале 2013 г.
Новую технологию отличают улучшения в конструкции и производственом процессе, которые обеспечивают более высокую надежность и большую скорость записи.
Технология eCBRAM (Conductive Bridging RAM – память с проводящим мостом) была разработана благодаря партнерству Altis с Adesto Technologies и позволит улучшить фаундри-портфолио Altis по eNVM (embedded non-volatile memory – встроенная энергонезависимая память), сегодня основанное на 130-нм КМОП-технологии.
eCBRAM – это инновационная встроенная память, объединяющая гибкость EEPROM с плотностью встроенной флеш-памяти. 130-нм технология eCBRAM от Altis на 100% совместима с 130-нм Low Power Platform (энергоэкономной платформой) Altis. Для повышения экономической эффективности новых заказных дизайнов Altis предлагает заказчикам преимущества разделения затрат в своей программе мультипроектных пластин (MPW – multi-product wafer). Программа мультипроектных пластин уже открыта для заказчиков новых eCBRAM-дизайнов.
Читайте также:
Энергонезависимая флэш-память B4-Flash нашла коммерческое применение
И снова — шумный спор о мемристорах
«Универсальная» память вместо флэш-памяти и DRAM
Micron первой в мире начала производство «фазовой» памяти
Память с фазовым переходом сменит флэш-память
Чипы памяти при нормах ниже 20 нм будут использовать нанотрубки
RRAM появится вслед за многослойной флэш-памятью
Источник: EE Times Europe