Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 20 января
 
 

Это интересно!

Ранее

Квартальная прибыль Intel рухнула на четверть

Квартальная прибыль крупнейшего мирового производителя микропроцессоров снизилась на 25%. Прибыль сократилась, в основном, из-за падения спроса на персональные компьютеры, говорится в пресс-релизе компании.

Altera покупает TPACK и расширяет диапазон своих OTN-решений

Altera Corporation объявила о своем решении купить компанию TPACK, на 100% принадлежащую Applied Micro Circuits Corporation.

Foxconn будет платить Microsoft налог за... Android

Крупнейший контрактный производитель электроники Foxconn согласился выплачивать Microsoft роялти с каждого выпущенного устройства на базе Android или Chrome OS. Это значительная победа для Microsoft, так как Foxconn производит около 40% всей потребительской электроники в мире.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

18 апреля 2013

Globalfoundries реализовала технологию 3D-TSV на 20 нм

В начале месяца в Globalfoundries объявили о запуске чипов следующего поколения для мобильных и потребительских приложений, изготавливаемых по 3D-технологии, что стало важным этапом в рамках стратегии развития компании.

Н

а нью-йоркской фабрике фаундри-компания представила свои первые 20-нм рабочие пластины со сквозными межсоединениями в кремниевой подложке (Through-Silicon Vias, TSV, см. рис.).

Чипы с переходными отверстиями TSV, изготавливаемые по 20-нм технологическому процессу LPM, позволяют реализовать электрическое соединение между несколькими слоями интегральных схем, расположенными один над другим. Как заявили в компании, такая многослойная трехмерная полупроводниковая структура обеспечивает еще один способ изготовления продуктов ответственного применения, удовлетворяющих требованиям по энергопотреблению и пропускной способности для современных электронных устройств.

Межсоединения TSV представляют собой  вертикальные переходные отверстия в кремниевой подложке, заполненные токопроводящим материалом, которые обеспечивают электрическое соединение между микросхемами, расположенными друг над другом. Трехмерные чипы все чаще рассматриваются как альтернатива традиционной планарной технологии формирования транзисторных структур с уменьшением масштабов техпроцесса. Однако при этом для реализации технологии TSV чипмейкерам предстоит решить ряд сложных задач.

В Globalfoundries рассказали, что выполнение межсоединений TSV производится в середине технологического цикла (via-middle), после этапа формирования транзисторов в приповерхностных слоях кремния (front-end-of-line, FEOL) и перед заключительным этапом производства (back-end-of-line, BEOL), когда отдельные устройства чипа соединяются в одну схему. Такой подход, благодаря выполнению высокотемпературного FEOL-этапа до операции изготовления TSV-межсоединений, позволяет использовать медь в качестве токопроводящего материала для заполнения переходных отверстий.

В Globalfoundries также отметили, что инженеры компании сумели найти решение для преодоления проблем, связанных с миграцией в TSV-межсоединениях, возникающей при переходе с 28 нм на 20-нм техпроцесс, разработав собственную схему защиты контактов. Таким образом, приборы, изготовленные Globalfoundries по 20-нм LPM-технологии с интегрированными переходными отверстиями TSV, по SRAM-функциональности и пороговым характеристикам практически не уступают продуктам, выполненным на стандартном 20-нм LPM-кремнии.

Как заявил Дэвид МакКенн, вице-президент Globalfoundries по проведению научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (на фото слева), многие компании отрасли уже на протяжении долгого времени работают над созданием трехмерных чипов, и достижения специалистов Globalfoundries помогут воплотить 3D-технологию в реальность. Следующим шагом компании будет расширение мощностей на нью-йоркской фабрике Fab 8 для производства чипов с TSV-межсоединениями, а также сборка и тестирование изделий в сотрудничестве со сторонними организациями (Outsourced Semiconductor Assembly and Test, OSAT). После проведения испытаний Globalfoundries планирует начать поставки тестовых трехмерных чипов, чтобы предоставить заказчикам компании возможность адаптировать технологию под свои продукты.

В условиях современного, динамично развивающегося рынка, бизнес-модель «фаблес-фаундри» является наиболее эффективной, поскольку фаундри-компании берут на себя все большую ответственность за управление цепочками поставок конечных продуктов, которые отвечают требованиям широкого спектра передовых решений. Благодаря подходу к сотрудничеству с партнерами по совместной разработке решений еще на начальной стадии производственного цикла, который демонстрирует Globalfoundries, полупроводниковую отрасль ожидает новый всплеск инноваций.

План расширение мощностей Fab 8 в Нью-Йорке

Читайте также:
Перспективы ЗНТЦ — реконструкция завода «Протон» и технология 3D TSV сборки микросхем
3D ИС созданы усилиями UMC и STATS ChipPAC
IC Insights: Qualcomm и Globalfoundries лидируют в рейтинге роста п/п-продаж
Globalfoundries и Samsung в гонке за 14 нм
Компания STATS аттестует 3D TSV-процесс
TI успешно интегрировала 3-D-технологию TSV в 28-нм КМОП-процесс
Рынок полупроводников уменьшился, но долгосрочный прогноз хороший
Фаундри-компании подстегнут рынок полупроводников в 2013 г.
Топ-15 горячих технологий 2013 года по версии EE Times

Источник: DigiTimes

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты