Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 19 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

В I кв. 2013 г. Toshiba, Renesas и Sony вернулись к прибыльности

Объем доходов японских топ-3 полупроводниковых компаний Toshiba, Renesas Electronics и Sony, снизился в 2012 г. (финансовый год в Японии с апреля 2012 года по март 2013 года), но при этом показатели прибыли улучшилась.

Во II кв. 2013 г. совокупный доход ведущих тайваньских фаундри вырастет на 15%

По данным аналитиков Digitimes Research, последовательный рост совокупных доходов тройки ведущих тайваньских фаундри-производителей ИС за II кв. 2013 г. составит 15,3%, что на 0,7% больше, чем в предыдущем квартале.

Xilinx и TSMC объединились для создания ПЛИС на 16-нм FinFET

Xilinx и TSMC объявили о планах по совместному производству программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) по 16-нм FinFET-техпроцессу.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

17 июня 2013

Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP

Правительство Соединенного Королевства инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в исследования и разработку силовой полупроводниковой электроники, в частности, на основе нитрида галлия (GaN).

К

омпания NXP Semiconductor получила финансирование на разработку нового поколения своих силовых полупроводниковых устройств на основе GaN в своем исследовательском центре в Манчестере.

GaN-подложка компании NXP

Нитрид галлия был выбран в качестве альтернативы традиционному кремнию в силовой электронике.

Финансирование призвано поддержать частные инвестиции в размере более 7,5 млн фунтов стерлингов. Оно позволит сохранить более 400 существующих рабочих мест и создать до 100 новых мест в сфере исследования нитрида галлия.

Финансирование было выделено как часть третьего этапа из Фонда регионального развития и будет использовано для набора исследовательского и конструкторского персонала, создания опытных образцов, консультаций авторитетных Британских ученых, и обеспечения оборудованием на этапе проектирования.

«Я очень рад, что деньги Фонда регионального развития помогают ведущему мировому центру по исследованию GaN в Стокпорте, который значительно стимулирует этот регион, привлекая огромные частные инвестиции и сохраняя рабочие места, – сказал главный Секретарь Казначейства Дэнни Александр (Danny Alexander). – Фонд регионального развития предоставляет нам возможность идти навстречу таким инновационным проектам, как этот, и показывает, что мы делаем все возможное, чтобы ускорить рост и повысить значимость Соединенного Королевства, как мирового лидера в науке и инновационных технологиях».

Правительственный Фонд регионального развития (RGF) в размере 2,6 млрд фунтов стерлингов осуществляет деятельность по всей территории Англии с 2011 по 2016 гг. Он поддерживает проекты и программы, привлекающие частные инвестиции для стимулирования экономического роста и стабильной занятости населения.

Первые три этапа финансирования привлекут более 13 млрд фунтов стерлингов частных инвестиций и создадут либо сохранят более 500 000 рабочих мест. Четвертый этап инвестиций Фонда регионального развития предполагает выделение следующих 350 млн фунтов стерлингов, и на этом его деятельность будет завершена.

Читайте также:
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
Будущее Туманного Альбиона зависит от инженеров
Инжиниринг — ключевое звено в экономическом развитии, утверждает министр

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты