Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 20 апреля
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

ARM расширяет сертификацию специалистов по микроконтроллерам

Компания ARM запустила новую программу сертификации "ARM Accredited MCU Engineer” (AAME) для инженеров-программистов встроенных систем на микроконтроллерах, которые хорошо знакомы с процессором ARM Cortex-M.

Spansion лицензирует IP ARM для автомобильных, промышленных и пользовательских встроенных систем

Производитель флеш-памяти компания Spansion Inc. получила лицензии на широкий ряд процессоров ARM для своих существующих и будущих линеек продукции, ориентированных на встроенные приложения на автомобильном, промышленном и потребительском рынках.

Tokyo Electron привнесла в Европу новые комплектующие Inrevium

Компания Tokyo Electron, второй по величине в мире производитель полупроводникового производственного оборудования, вывела на европейский рынок широкий спектр комплектующих под маркой Inrevium.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

20 сентября 2013

TSMC и партнеры экосистемы OIP выпустили маршруты проектирования для 16-нм FinFET и 3D ИС

Компания TSMC в рамках Открытой инновационной платформы (OIP) выпустила три маршрута проектирования, прошедших проверку на реальных кристаллах, для создания дизайнов 16-нм FinFET СнК и 3D стековых устройств.

Л

идирующие производители САПР электроники (EDA) объединили усилия с TSMC, чтобы построить и протестировать эти маршруты проектирования на большом числе контрольных образцов.

Были выпущены следующие маршруты проектирования:

1. Цифровой 16-нм FinFET-маршрут проектирования компании TSMC, обеспечивающий всестороннюю технологическую поддержку для задач пост-планарного проектирования, включая экстракцию, дискретное размещение элементов, работу на низких напряжениях, электромиграцию и управление питанием.

2. Маршрут проектирования для клиентского 16-нм FinFET-дизайна, предлагающий полностью индивидуальный дизайн на транзисторном уровне и верификацию, включая аналоговые дизайны, дизайны смешанных сигналов, заказные цифровые дизайны и память.

3. Маршрут проектирования 3D ИС, направлен на решение задач вертикальной интеграции с полным построением 3D-стека.

"Эти маршруты проектирования предоставляют конструкторам быстрый доступ к 16-нм FinFET-технологии TSMC и открывают дорогу к 3D ИС с технологией TTS (Through-Transistor-Stacking, межтранзисторный стек), - сказал вице-президент по исследованием и разработке TSMC доктор Клифф Хоу (Cliff Hou). - Предоставить наши новейшие кремниевые и производственные технологии нашим клиентам как можно ранее - это основополагающий принцип TSMC и наших партнеров по конструкторской экосистеме OIP".

В качестве тестового образца для сертификации цифрового маршрута проектирования 16-нм FinFET был использован многоядерный процессор ARM Cortex-A15. Маршрут проектирования помогает конструкторам освоить новую технологию благодаря решению связанных с FinFET-структурой задач комплексного 3D RC (резистивно-емкостного) моделирования и дискретной ширины элементов. К тому же, маршрут проектирования предоставляет методики повышения соотношения мощности, производительности и площади (PPA) на 16-нм процессе, включая анализ работы на низких напряжениях, оптимизацию трассировки по сопротивлению для минимизации сопротивления межсоединений, корреляцию анализа трассировки и графического анализа для улучшения временных характеристик в процессе автоматического размещения и трассировки (APR).

Маршрут проектирования для заказного 16FinFET-дизайна позволяет проводить проектирование с учетом возрастающей сложности явлений в 16FinFET-процессе и предоставляет методики для согласования дизайна с 16-нм производственном процессом и обеспечения его надежности.

Техпроцесс 3D ИС обеспечивает значительную миниатюризацию кристалла, преимущества в энергопотреблении и быстродействии, благодаря интеграции множества компонентов в одном устройстве. Маршрут проектирования 3D ИС TSMC направлен на решение перспективных задач интеграции с помощью 3D-стека. Среди его основных функций - технология TTS; технология TSV (сквозных межсоединений через кремний), микровыпуклостей и трассировка металлического слоя на оборотной стороне; соединения TSV-to-TSV.

Читайте также:
TSMC в 2013 году запускает FinFET-технологию и испытывает EUV на 10 нм
TSMC запланировала «системные 3-D-суперчипы», 5-нм технологию и «чип-мозг» на 2 нм
TSMC выпустили первые тестовые чипы по 16-нм технологии FinFET
ARM с Cadence создала первый 64-битный ЦП Cortex-A57 на 16-нм FinFET-техпроцессе TSMC
TSMC планирует производство V8 ARM по 16-нм FinFET технологии
Группа HSA рассказала о спецификациях для СнК x86 и ARM
Cadence обновила платформу для проектирования 20-нм устройств

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты