Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 26 апреля
 
 

Это интересно!

Ранее

Samsung жаждет получить заказы Apple на 14-нм процессор А9

По информации Digitimes Research, Samsung Electronics сфокусировала свои исследовательские и проектные силы на разработке 14-нм FinFET-техпроцесса, надеясь заполучить заказы Apple на чип А9.

TSMC и партнеры экосистемы OIP выпустили маршруты проектирования для 16-нм FinFET и 3D ИС

Компания TSMC в рамках Открытой инновационной платформы (OIP) выпустила три маршрута проектирования, прошедших проверку на реальных кристаллах, для создания дизайнов 16-нм FinFET СнК и 3D стековых устройств.

ARM расширяет сертификацию специалистов по микроконтроллерам

Компания ARM запустила новую программу сертификации "ARM Accredited MCU Engineer” (AAME) для инженеров-программистов встроенных систем на микроконтроллерах, которые хорошо знакомы с процессором ARM Cortex-M.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

23 сентября 2013

Скоро в электромобилях будут использовать устройства на основе нитрида галлия и карбида кремния

Компания GaN Systems представила доклад о новых широкозонных полупроводниках и их роли в автомобильной силовой электронике на конференции и выставке Electric & Hybrid Vehicle (электрические и гибридные автомобили), которая прошла в Мичигане (США) 17-19 сентября.

П

роизводители, занятые конструированием электромобилей, выход на рынок которых запланирован в 2018 г., прогнозируют, что к этому времени нитрид-галлиевые полупроводники достигнут ценового паритета с кремниевыми устройствами.

Это сделает технологию привлекательной в качестве замены кремния в силовой электронике электрических и гибридных автомобилей.

"Электро- и гибридные автомобили вмещают множество силовой электроники - управление батареями, резервным питанием, тормозной системой, фазами клапанов, круиз-контролем, системами безопасности, кластерами приборов. И все эти системы страдают от ограничений, накладываемых кремнием, который не переключается достаточно быстро или не справляется с высокими температурами", - сказал Герван Паттерсон (Girvan Patterson), исполнительный директор GaN Systems.

"Новое поколение нитрид-галлиевых и карбид-кремниевых полупроводников преодолевает эти трудности, и к тому же они легче, меньше и удобнее для корпусирования. Эти новые устройства приведут к существенным улучшениям в автомобильной силовой электронике и предоставят значительные возможности для индустрии", - рассказал Паттерсон.

Джулиан Стайлс (Julian Styles), директор по развитию бизнеса в GaN Systems, выступил с разъяснением технологических преимуществ полупроводниковых материалов, которые, как он полагает, приведут к замене традиционного кремния в силовых преобразователях нового поколения электро- и гибридных автомобилей. Стайлс пояснил, в чем он видит преимущества силовых полупроводников с большой шириной запрещенной зоны, основанных на нитриде галлия. Среди них - больший коэффициент полезного действия, уменьшение массы и снижение стоимости силовой электроники для электро- и гибридных автомобилей.

Читайте также:
Знаменитая пятерка производителей автомобильных ИС
Уже 30 компаний начали использовать карбид кремния
Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств "нитрид галлия на кремнии"
Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Япония инвестирует в ИС на базе GaN-на-кремнии
Карбидо-кремниевые пластины для силовой электроники
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты