Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 14 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Первые в мире микросхемы шумоподавителя с нулевым уровнем фона

AMS AG представила усилители с адаптивным шумоподавителем AS3435 и AS3415, открывающие дорогу новому поколению стерео гарнитур с шумоподавлением и отсутствием слышимого фона.

Samsung построит фаундри для техпроцесса 20 нм

Samsung рассчитывает начать предлагать свое производство по 20-нм техпроцессу в начале 2014 г. У TSMC с 20-нм техпроцессом дела пока лучше.

Samsung гнет дисплеи или пальцы?

Уже в октябре этого года Samsung выпустит смартфон с изогнутым OLED-дисплеем. Этим она хочет обогнать LG, которая выпустила "вогнутый" телевизор на месяц ранше, чем Samsung. Будет ли LG сидеть сложа руки?

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

27 сентября 2013

Твердофазная эпитаксия позволяет получить упруго-напряженные GeSn МОП-транзисторы на кремнии

KULeuven (Лёвенский католический университет, Бельгия), IMEC (Межуниверситетский центр микроэлектроники в Лёвене, Бельгия) и AIST объявили о разработке нового процесса твердофазной эпитаксии для интеграции GeSn (олово-германиевых) MOSFET транзисторов на кремнии.

В

первые был продемонстрирован действующий беспереходный обедненный GeSn pMOSFET транзистор, что стало важным шагом к достижению упругого напряжения в каналах МОП-транзисторов и повышения их подвижности.

Чтобы повысить производительность нового поколения уменьшенных КМОП-приборов, ученые изучают возможность интеграции новых материалов с большей подвижностью электронов, включая GeSn - многообещающий полупроводник для материала канала с превосходными физическими характеристиками. "GeSn позволяет повысить скорость переключения МОП-транзисторов и может быть использован в скоростных оптических коммуникациях", - пояснили исследователи. В то время как большая часть опытных образцов GeSn-канала в MOSFET изготовлены на германиевых подложках, для совместимости с КМОП-технологией является предпочтительным кремний.

Однако эпитаксиальное выращивание GeSn на кремниевых подложках ставит несколько проблем, включая ограниченную растворимость олова в германии (0,5%), флуктуации состава, осаждение олова и большое несовпадение кристаллических решеток (>4%). Ученые из KULeuven, IMEC и AIST разработали процесс твердофазной эпитаксии, позволяющий получать монокристаллические слои GeSn толщиною 10 мкм на кремниевых подложках, имеющих деформацию растяжения, и хорошо подходящих для создания напряжения в германиевых каналах. Более того, он сокращает отличия между прямым и непрямым межзонными переходами, что приводит к приобретению прямой запрещенной зоны материалом IV группы. И наконец, из-за неравновесных условий осаждения новый метод позволяет получать GeSn с высокими концентрациями олова.

Уменьшая толщину канала с помощью реактивного ионного травления (RIE) с 30 до примерно 10 нм, ученые улучшили отношения токов открытого и закрытого транзистора более чем на порядок. К тому же, обеднение дырками в ультратонких (10 нм) слоях GeSn на кремнии привело к хорошим переходным характеристикам с отношением открытого к закрытому состоянию равным 104. Далее, ученые сосредоточатся на оптимизации транзисторов GeSn MOSFET на кремнии для дальнейшего повышения подвижности канала.

Изображение сечения NiGeSn metal S/D MOSFET полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа: вдоль [11-2], направление канала [-110], ориентация поверхности (111).

Читайте также:
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств "нитрид галлия на кремнии"
IMEC уменьшает флеш до технормы менее 20 нм
Углеродные транзисторы IBM перешагнули барьер производительности
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Норвежские инженеры вырастили арсенид галлия на графене
Силовые MOSFET: расширяем возможности

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты