Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 23 января
 
 

Это интересно!

Ранее

В августе прибыль ведущих промпредприятий Китая выросла на 24,2%

В августе текущего года прибыль ведущих промышленных предприятий Китая выросла на 24,2% по сравнению с тем же месяцем прошлого года, до 483,17 млрд юаней ($78,95 млрд), свидетельствуют обнародованные в пятницу данные Государственного статистического управления КНР.

BlackBerry увеличила квартальный убыток в 4 раза

Канадская Research in Motion Ltd. (RIM), производитель смартфонов BlackBerry,увеличила убыток во втором финансовом квартале в 4,2 раза -до $965 млн, или $1,84 на акцию, по сравнению с убытком в $229 млн, или $0,44 на акцию, за аналогичный период годом ранее.

Apple выплатит японцу-изобретателю 3,4 млн долларов за нарушение патента

Суд в Токио признал Apple виновной в нарушении патента на технологию японского изобретателя, которую компания использует в плеерах iPod.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

1 октября 2013

IMEC интегрировала GeSn в 10-нм КМОП техпроцесс

Бельгийско-японская команда ученых разработала улучшенный метод интеграции олово-германиевых пленок и MOSFET-транзисторов на кремниевые подложки. Это открывает путь к получению напряженных GeSn pMOSFET толщиной менее 10 нм.

К

оманда исследователей из Католического университета в Лёвене (Бельгия), IMEC (Межуниверситетского центра микроэлектроники в Лёвене, Бельгия) и Японского национального института передовой промышленной науки и технологии (AIST) разработала процесс твердофазной эпитаксии, который преодолевает прежние ограничения на осаждение оловянно-германиевых пленок, такие как ограниченная растворимость олова в германии (0,5%), склонность к осаждению и большое несовпадение кристаллических решеток (>4%).

Интерес к GeSn связан с желанием использовать материалы с высокой подвижностью электронов, таких как германий, и возможностью улучшить подвижность с помощью искусственно созданного напряжения кристаллической решетки.

По заявлению команды IMEC, им впервые удалось получить на кремнии работающий беспереходный GeSn полевой МОП-транзистор р-типа с обедненным каналом. Использование кремниевой подложки должно значительно повлиять на снижение стоимости производства, а также позволит интегрировать традиционные КМОП и GeSn-транзисторы.

Команде удалось получить монокристаллические пленки толщиной 10 нм на кремнии, имеющем деформацию растяжения. "Это сокращает отличия в энергии прямого и непрямого межзонных переходов, что создает прямую запрещенную зону материалом IV группы", - сказано в пресс-релизе IMEC. "Дальнейшие исследования сосредоточатся на оптимизации GeSn MOSFET транзисторов на кремнии для дальнейшего повышения подвижности в канале", - сообщила IMEC.

Изображение сечения металлического NiGeSn-истока и стока MOSFET-транзистора, полученное с помощью просвечивающего электронного микроскопа (получено IMEC).

Доклад об этой разработке был представлен на конференции "Твердотельные устройства и материалы" 25 сентября в г.Фукуока (Япония).

Читайте также:
Твердофазная эпитаксия позволяет получить упруго-напряженные GeSn МОП-транзисторы на кремнии
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств "нитрид галлия на кремнии"
IMEC уменьшает флеш до технормы менее 20 нм
Британия инвестирует 2 млн фунтов стерлингов в центр нитрида галлия компании NXP
Углеродные транзисторы IBM перешагнули барьер производительности
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Норвежские инженеры вырастили арсенид галлия на графене

Источник: EE Times

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты