Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 8 декабря
 
 


Это интересно!

Ранее

Future Horizons прогнозирует стремительное восстановление рынка полупроводников

Глава Future Horizons Малкольм Пенн ожидает стремительного восстановления рынка полупроводниковых ИС, несмотря на то, что мировая экономика все еще находится в "состоянии низкой уверенности".

WSTS: в августе продажи в Европе были хорошими

По сообщению WSTS (Международная организация статистики полупроводниковой промышленности), продажи чипов в Европе за август были на 2% выше, чем в июле, и на 5% выше, чем в августе 2012 г.

Продажи TSMC в третьем квартале 2013 г. соответствуют планам

Кумулятивные продажи TSMC в 2013 г. возросли на 20,2% по сравнению с прошлым годом до 451,22 млрд НТД. А продажи UMC в третьем квартале составили 33,41 млрд НТД, что соответствует росту на 4,7% по сравнению с предыдущим периодом.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

7 ноября 2013

Литография жесткого ультрафиолета (EUV) все еще значится в планах IMEC

Несмотря на большие инвестиции в ASML от Intel, TSMC и Samsung, разработчик EUV все еще не может гарантировать выполнение запланированного графика. Вдобавок к проблемам с источником излучения, EUV столкнулась с дюжиной других задач, включая вероятность внутренних дефектов масок и отсутствие методов их обнаружения.

В

осприятие литографии жесткого ультрафиолета (EUV) всегда было несколько радужным в той части мира, где она родилась. Поэтому неудивительно, что EUV заняла довольно сильные позиции в достаточно подробном и сбалансированном перспективном плане исследовательского института IMEC (Межуниверситетский центр микроэлектроники в Бельгии), представленном на ежегодной пресс-конференции.

Создание новейшего источника излучения для EUV - MOPA (Master Oscillator Power Amplifier - мастер-генератор с усилителем мощности) - поставило на более надежную основу наиболее слабый компонент долгожданной системы литографии. Теперь ученые надеются показать 80-ваттный источник в работающей системе к концу года, 125-ваттную версию в следующем году и 250-ваттную версию, способную обеспечить коммерческую производительность в 125 пластин в час - к концу 2015 г.

С такими темпами производители ИС вынуждены полагаться на предыдущее поколение иммерсионной литографии для первых вариантов 10-нм техпроцесса. Однако они смогут одновременно внедрить пилотную линию литографии жесткого ультрафиолета, срезая дистанцию как минимум на несколько критических шагов.

"Я не буду удивлена, если они подойдут к 9-нм техпроцессу, используя EUV", - сказала Эн Стиген (An Steegen), руководитель подразделения IMEC, отвечающего за исследования технологических процессов.

Иммерсионные системы могут потребовать 22 маски на 10-нм техпроцессе, по сравнению с 10 на 28-нм техпроцессе, используя при этом в некоторых слоях дорогостоящее трехкратное экспонирование и двукратное экспонирование в остальных слоях. По оценкам ученых, литография жесткого ультрафиолета может снизить это количество до 10 масок на 10-нм техпроцессе.

Несмотря на большие инвестиции в ASML от Intel, TSMC и Samsung, разработчик EUV все еще не может гарантировать выполнение запланированного графика. Вдобавок к проблемам с источником излучения, литография жесткого ультрафиолета столкнулась с дюжиной других задач, включая вероятность внутренних дефектов масок и отсутствие методов их обнаружения.

Стиген заявила, что EUV ожидают дополнительные задержки. "Я вижу множество проблемных пунктов, из-за которых EUV может сбиться с графика и на 10-нм, и на 7-нм техпроцессах, а техпроцесс живет в производстве 6-10 лет", - заявила Стиген.

В противоположность своему оптимистичному взгляду на литографию жесткого ультрафиолета, Стиген раскритиковала технологию полностью обедненного кремния-на-изоляторе (FD-SOI), продвигаемую STMicroelectronics, в качестве альтернативы FinFET-транзисторам.

Хотя сейчас IMEC поддерживает работу над FD-SOI на 14-нм техпроцессе, он удалит технологию FD-SOI из своего перспективного плана на других техпроцессах. "Я не вижу в ней никакой необходимости", - заявила Стиген.

"FD-SOI предлагает меньшее быстродействие, чем FinFET, и имеет вероятность большего энергопотребления из-за использования прямого смещения. К тому же, ее довольно тонкая подложка создает проблемы в производстве", - сказала Стиген.

Читайте также:
IMEC и Micron расширяют совместную разработку до технорм менее 10 нм
ASML получила новые заказы на оборудование EUV и планирует расширять мощности
FD-SOI привлекла внимание ARM
Техпроцесс FD-SOI от ST: спасение европейской микроэлектроники?
Борьба за 450-мм пластины и литографию жесткого ультрафиолета обещает быть долгой
Технорма 14 нм принесла множество конструкторских проблем
Конференция ISSCC: литография жесткого ультрафиолета — лучший выбор для техпроцесса 10 нм и ниже
Ван ден Хов заявил, что литография глубокого ультрафиолета не готова к 14 нм
IMEC о топологических нормах менее 15 нм
Закону Мура угрожают проблемы с реализацией метода EUV-литографии

Источник: EE Times Europe

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты