Qualcomm оценивает 3D-технологию производства чипов от Leti: это не TSV


Qualcomm Technologies подписала технологическое соглашение с институтом CEA-Leti (Франция). Цель договоренности – оценка возможности реализации последовательной 3D-технологии, разработанной французским научным центром.

В последние годы Leti активно работает над новой технологией 3D-интеграции, которая называется последовательной 3D-интеграцией и позволяет осуществлять укладку активных слоев транзисторов в третьем измерении.

Это технология не является аналогом 3D-TSV, которую используют компании Samsung, ST и TSMC.

Последовательная 3D-технология Leti дает возможность обрабатывать все функции в одном потоке производства полупроводников. Это позволяет осуществлять соединения активных областей на уровне транзисторов, делая это с более высокой плотностью, чем позволяет стандартный процесс литографии.

«Чистая комната» института CEA-Leti. Фото CEA-Leti

По мнению специалистов Leti, новая технология обеспечит 50%-ный выигрыш по площади и 30%-ный выигрыш по быстродействию по сравнению с аналогичной классической 2D-технологией того же поколения.

«Последовательная 3D-технология, как ожидается, будет намного проще и дешевле в реализации, что делает ее потенциальной альтернативой традиционным планарным технологиям», – утверждают специалисты Leti.

Договоренность между Leti и Qualcomm позволит осуществить независимое тестирование этой технологии в контексте практического применения.

Читайте также:
Технологии 3D-интеграции: проблемы и перспективы
3D-интеграция: прошлое, настоящее, будущее
3D ИС созданы усилиями UMC и STATS ChipPAC
Qualcomm будет использовать трехмерную компоновку в разработке своих чипов

Источник: Electronicsweekly.com

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *