GlobalFoundries и Everspin займутся производством перспективной MRAM-памяти


Стало известно о заключении договора между компаниями Everspin и GlobalFoundries, в рамках которого планируется создать техпроцесс для производства памяти типа MRAM на мощностях GlobalFoundries.

В частности сообщается, что GlobalFoundries займется адаптированием производства ST-MRAM (Spin-Torque MRAM) на своих линиях применительно к 28-нм и 40-нм LP-техпроцессам на пластинах диаметром 300 мм. Аналогичную память в массовом порядке собираются с 2016 г. выпускать компании Toshiba и SK Hynix.

Существует мнение, что в составе процессоров, да и в целом в электронике, память MRAM (ST-MRAM) сможет выступить в качестве замены ОЗУ SRAM-типа. По быстродействию MRAM близка к скорости работы оперативной памяти, однако при этом является энергонезависимой, что является большим плюсом.

Конструктивно память ST-MRAM относительно проста. Один транзистор необходим для управления процессами чтения и записи. При этом используется комбинация двух магнитных слоев с тонкой прослойкой изолятора. Из этих слоев один имеет постоянную намагниченность, а другой – свободную. Воздействуя сильным током, можно менять направление намагниченности такого свободного слоя. Намагниченность свободного слоя остается фиксированной и после окончания воздействия тока. В режиме чтения (осуществляется при малых токах) совпадение направления намагниченностей оказывает незначительное сопротивление току, что соответствует логическому «0», а разнонаправленный вектор оказывает высокое сопротивление, что соответствует «1».

Известно, что GlobalFoundries получила часть акций компании Everspin, однако финансовые детали договора не сообщаются. GlobalFoundries также вложит средства в создание технологий для начала серийного производства ST-MRAM. Впрочем, сроки завершения этих работ не сообщаются. Но направление это считается очень перспективным. При этом спрос на MRAM пока что достаточно ограничен, т.к. емкость отдельных микросхем еще недостаточна для производства, к примеру, SSD-накопителей приемлемой емкости. Но память типа MRAM уже используется в качестве буфера SSD. Кроме того, она востребована для записи логов транзакций.

Читайте также:
Globalfoundries совместно с Imec работает над STT-MRAM
TDK представила прототипы чипов памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит
В России создан завод по выпуску памяти MRAM
MeRAM: компьютерная память может быть холодной
MRAM сменит SRAM-память в мобильных устройствах
Краткая история развития устройств памяти

Источник: Globalfoundries.com

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *