Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 26 января
 
 

Это интересно!

Новости

Приглашение к участию в ежегоднике «Живая Электроника России» 2020


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Panasonic инвестирует 80 млн долларов в расширение заводов по производству солнечных батарей

Компания планирует увеличить производство солнечных модулей HIT до 1 ГВт.

В Китае начались продажи российского смартфона

Российская компания Yota Devices объявила о старте продаж адаптированного под китайский рынок YotaPhone 2. Подробности презентации, прошедшей в посольстве России в Пекине, сообщаются в пресс-релизе.

Прибыль Foxconn выросла на 56%

Аналитики считают, что рекордная прибыль ждёт Foxconn и во втором квартале нынешнего года.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

22 мая 2015

Globalfoundries первым в мире предлагает 28-нм техпроцесс для выпуска СнК со встроенными РЧ-цепями

Компания Globalfoundries представила новый 28-нанометровый техпроцесс. Он построен на использовании технологии High-k Metal Gate (HKMG), основан на проверенном практикой 28-нанометровом техпроцессе, оптимизированном по критерию энергопотребления (Super Low Power, SLP), и позволяет интегрировать в однокристальные системы радиочастотные цепи.

П

роизводитель утверждает, что он первым среди контрактных изготовителей полупроводниковой продукции разработал 28-нанометровый техпроцесс, обеспечивающий такую интеграцию.

Тестирование в кремнии показало работоспособность цепей, изготавливаемых по новому техпроцессу, на частотах до 310 ГГц, а также низкий уровень теплового и фликкерного шума. По словам Globalfoundries, техпроцесс 28nm-SLP-RF предназначен для следующего поколения «подключенных устройств», от которых требуется низкое энергопотребление в режиме ожидания, длительный срок автономной работы и наличие встроенного беспроводного подключения.

Проектировщики смогут использовать модели транзисторов ядра и цепей ввода-вывода, рассчитанных на напряжение питания 1,5 и 1,8 В соответственно, а также приборы LDMOS, работающие при напряжении 5 В, что упрощает проектирование SoC. Конечно, 28nm-SLP-RF предлагает возможность формирования разнообразных пассивных элементов, включая конденсаторы APMOM (alternate polarity metal-oxide-metal), резисторы и индукторы. Новый техпроцесс совместим с существующими процедурами проектирования, библиотеками, компиляторами и сложными IP-ядрами. В сотрудничестве с разработчиками систем автоматизированного проектирования был подготовлен оптимизированный PDK (process design kit), поддерживающий высокоточные модели радиочастотных цепей. Как PDK, так и верификация для 28nm-SLP-RF уже доступны.

Источник: Globalfoundries

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2020 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты