Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 18 июня
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

В Micron считают сделку с Tsinghua маловероятной

В начале прошлой недели появилась информация, что китайская компания Tsinghua Unigroup собирается купить Micron.

Во втором квартале Apple стала лидером рынка носимой электроники, но уже в следующем квартале ситуация может измениться

На вопрос о том, сколько Apple удалось продать часов Watch, готовы ответить аналитики Canalys. Как сообщает источник, за второй квартал текущего года купертинцам удалось реализовать 4,2 млн устройств.

За год компания Apple на треть увеличила выручку

Компания Apple опять идёт вразрез с рыночными тенденциями на рынке электроники. Если все остальные игроки рынка ПК и полупроводников испытывают разного рода трудности, теряя в выручке или в прибыли, то Apple сообщила о значительном годовом росте квартальной выручки во втором квартале календарного 2015 года.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

23 июля 2015

IBM научилась выпускать чипы с питанием 0,3 вольта

Как сообщает EE Times, на симпозиуме VLSI Technology 2015 представитель IBM рассказал об уникальной технологии, способной снизить рабочее напряжение транзисторов до 0,3 вольт.

В

ходе доклада под названием «14nm FinFET Based Supply Voltage Boosting Techniques for Extreme Low Vmin Operation» на симпозиуме VLSI Technology 2015, который прошёл в середине июня в Киото, представитель компании IBM рассказал об уникальной технологии, способной снизить рабочее напряжение транзисторов до 0,3 вольт. Компания представила 14-нм SRAM-память, выпущенную на SOI-подложке с использованием FinFET-транзисторов. Новая технология представляет собой комбинацию схемы динамически изменяемого напряжения питания (применительно к SRAM — это повышение питания по разрядной шине) и работы с напряжением на уровне порогового значения (0,2-0,3 В).

По словам разработчика, технология «Based Supply Voltage Boosting Techniques» сочетает предельно низкое потребление с возможностью «моментального» перехода в режим максимальной производительности при подаче «ускоряющего напряжения». При этом итоговое потребление окажется лишь незначительно выше, как если бы микросхема всё время работала с напряжением питания 0,3 В. Также в компании отмечают, что в отличие от других схем реализации динамически изменяемого питания, подход IBM более удачен. Так, площадь микросхемы SRAM с поддержкой технологии «Boosting Techniques» больше обычного кристалла SRAM лишь на единицы процентов, что едва ли увеличит себестоимость интересных решений.

Наконец, в IBM уверены в удачном масштабировании новой технологии. С помощью аналитической системы предсказаний и программных инструментов для проектирования чипов Technology CAD (TCAD) сделан расчёт, который подтверждает возможность выпуска 7-нм полупроводников с технологией динамического повышения питания. А в том, что компания IBM научилась выпускать опытные 7-нм полупроводники, мы уже не сомневаемся.

В заключение добавим, что компания Intel также активно работает в направлении, связанном с работой полупроводниковых схем на уровне порогового значения напряжения. Почти на всех форумах IDF последних двух-трёх лет компания Intel показывала работу специально выпущенных процессоров, работающих от солнечных элементов и даже от бокала вина. Напряжение питания таких схем составляло 0,4-0,5 В. Можно сказать, что компания IBM обошла компанию Intel не только в плане выпуска опытного 7-нм кремния, но также в сфере разработки полупроводников с предельно низким напряжением питания.

Источник: eetimes.com

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты