Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 23 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

PMI: уровень деловой активности в Китае упал до минимума за 15 месяцев

Индекс деловой активности (PMI) в промышленности Китая упал в июле до 48,2 пункта. Это минимальное значение за 15 месяцев, сообщает ТАСС со ссылкой на деловое издание «Цайсинь».

Через 20 лет мы будем жить в мире без автоаварий

Шоссейная (т.е. скоростная) версия автономного адаптивного круиз-контроля дойдёт до рынка в этом году, обещает провайдер систем помощи водителю Mobileye NV – компания со штаб-квартирой в Нидерландах и исследовательским центром в Иерусалиме.

Глава Tsinghua Holdings подтвердил Reuters факт переговоров с Micron о покупке

Китайская компания Tsinghua Holdings все еще обсуждает с американской компанией Micron Technology возможную покупку последней, надеясь на заключение сделки. Об этом источнику сообщил руководитель Tsinghua.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

29 июля 2015

SK Hynix начнёт выпускать 36-слойную 3D NAND-память уже в третьем квартале

Память с использованием 48-слойных микросхем компания планирует начать выпускать в 2016 году .

Н

а прошлой неделе на очередной квартальной конференции, посвящённой работе во втором квартале календарного 2015 года, компания SK Hynix подтвердила, что в третьем квартале состоится запуск в производство первой серийной 3D NAND флэш-памяти компании. Это будут 36-слойные 128-Гбит чипы с MLC-ячейкой (в ячейке будет храниться два бита данных). Память с трёхбитовой TLC-ячейкой компания планирует начать выпускать в 2016 году с использованием 48-слойных микросхем. Судя по всему, это будут 256-Гбит чипы 3D NAND.

В настоящий момент память типа 3D NAND массово выпускает только компания Samsung. Это второе поколение 3D V-NAND с MLC- и TLC-ячейками. Что интересно, во всех случаях компания Samsung выпускает 32-слойные микросхемы одной ёмкости — 128 Гбит. Благодаря этому она делает ставку на снижение площади кристалла и на уменьшение себестоимости решений.

Компании Intel и Micron в четвёртом квартале 2015 года приступят к выпуску 32-слойной 256-Гбит памяти MLC и 384-Гбит памяти TLC. Они будут делать ставку на объём отдельных решений и сэкономят на количестве устанавливаемых в SSD чипов флэш-памяти. Позже всех к производству 3D NAND приступит компания Toshiba, которая в первой половине 2016 года собирается выпускать 48-слойную память MLC ёмкостью 128 Гбит.

Источник: EE Times

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты