Переход на 3D NAND поможет Intel завоёвывать рынок полупроводниковых хранилищ информации


Благодаря расширению производства многослойной памяти 3D NAND (на модернизированном заводе компании в китайском городе Далянь), Intel может составить заметную конкуренцию компаниям Samsung Electronics, SK Hynix, Toshiba и китайским производителям.

Если верить источникам популярного тайваньского интернет-ресурса DigiTimes, в 2017 году, благодаря расширению производства многослойной памяти 3D NAND (на модернизированном заводе компании в городе Далянь), Intel может составить заметную конкуренцию компаниям Samsung Electronics, SK Hynix, Toshiba и неназванным китайским производителям SSD-накопителей. Многослойная память будет продвигаться Intel в накопителях для ЦОД, для «профессионального» использования, для рядовых покупателей и для рынка встраиваемой электроники.

В феврале-марте выйдут PCI Express NVMe накопители Intel DC P4500/P4600/P4600 LP/P4500 LP (в производстве будут до первого квартала 2019 года). Во втором квартале 2017 года появятся версии SSD серий DC S4600/S4500 и DC S4600/S4500 в формфакторе 2,5 дюйма. Ещё одно расширение модельного ряда ориентированных на ЦОД линеек SSD ожидается в третьем квартале 2017 года, когда добавятся самые ёмкие модели (объёмом до 8 ТБ) и выйдут версии SSD с интерфейсом U.2 и в формфакторе 2,5 дюйма.

Для рабочих станций ещё до конца текущего года Intel представит PCIe/NVMe SSD Pro 7600P и SATA-накопители Pro 5450s. Для клиентских систем в третьем квартале 2017 года будут выпущены SATA SSD серии 545s и версии SSD серии 600p в виде однокорпусных накопителей с BGA-контактами для распайки на платы.

Для рынка встраиваемых решений в апреле 2017 года выйдет серия SATA SSD 5430S. Её версия в формфакторе M.2 в лице серии появится в июле. В третьем квартале 2017 года выйдет серия SSD E 6500p (на 20-нм планарной NAND-флэш MLC).

Накопители Intel Optane на памяти 3D XPoint начнут поставляться на рынок во втором квартале 2017 года. Это будут решения для ЦОД и для рынка ПК.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *