TSMC начинает строительство 5-нм полупроводникового завода Fab 18


Компания TSMC провела торжественную церемонию начала строительства первой очереди предприятия Fab 18, которое будет расположено в технопарке Taiwan Science Park на юге Тайваня.

В мероприятии принял участие Моррис Чанг (Morris Chang), основатель и генеральный директор TSMC, который в июне этого года намерен уйти на пенсию.

Фабрика Fab 18 станет четвертой тайваньской фабрикой TSMC, рассчитанной на 300-миллиметровые пластины. Этому предприятию предстоит первым освоить выпуск продукции по нормам 5 нм.

В компании планируют завершить строительство и начать установку оборудования в первом квартале 2019 года, а серийному выпуску продукции фабрика должна приступить в начале 2020 года. В третьем квартале текущего года начнется строительство второй очереди, которая также войдет в строй в 2020 году. Наконец, строительство третьей очереди должно начаться в третьем квартале 2019 года, а выпуск продукции на ее мощностях планируется освоить в 2021 году. После ввода в эксплуатацию всех трех очередей производительность фабрики превысит 1 млн 300-миллиметровых пластин в год.

Предприятие Fab 18 строится на участке площадью 42 га. Площадь всех помещений составит 950 000 м², а суммарная площадь «чистых комнат» — 160 000 м².

Источник: TSMC

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *