Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 25 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Дабы укрепить позиции на рынке Интернета вещей, IBM купила компанию Oniqua

Корпорация IBM объявила о покупке разработчика систем технического обслуживания и ремонта (ТОиР) Oniqua Holdings, чтобы укрепить позиции на рынке Интернета вещей. Стоимость сделки компании раскрывать не стали.

Motorola первой подключит смартфоны к сетям 5G

Компания Lenovo опубликовала пресс-релиз с громким заголовком: «Motorola первой подключит тебя к 5G». Звучит заманчиво, давайте разберёмся.

7-нанометровые процессоры составят 20% от дохода TSMC

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) планирует приступить к массовому производству однокристальных систем Qualcomm Snapdragon следующего поколения в четвертом квартале 2018.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

28 августа 2018

512-слойная 3D NAND и 512-терабайтные 2,5" SSD могут появиться уже в 2021 году

Hа последней конференции IEEE International Memory Workshop (IMW) в мае производитель литографического производственного оборудования компания Applied Materials представил собственное видение развития многослойной 3D NAND памяти. На недавней конференции Flash Memory Summit 2018, которая прошла в начале августа, тему перспектив многослойной NAND памяти подхватил аналитик компании Objective Analysis Джим Ханди (Jim Handy).

Д

жим Ханди не просто аналитик, а специалист и получатель целого ряда патентов на технологии, связанные с кеш-памятью. По авторитетному мнению Ханди, через три или четыре года производители флеш-памяти смогут выпускать 512-слойные микросхемы 3D NAND, что позволит приблизиться с SSD впечатляющей ёмкости.

Предпосылкой для производства 3D NAND с полутысячей слоёв станут технологии предельно тесного соединения кристаллов 3D NAND. Новейшая 96-слойная 3D NAND, например, выпускается в виде состыковки двух 48-слойных кристаллов 3D NAND на уровне слоёв, а не подложек, как происходило в случае упаковки в столбик более двух кристаллов DRAM или 2D NAND. Это может вести к потери части слоёв, как, например, в случае памяти 3D NAND Samsung с более чем 90 слоями. Состыковка ведёт к потере двух слоёв в каждом кристалле, и память Samsung выходит 92-слойной (по неподтверждённой официально информации).

Сегодня производители 3D NAND научились выпускать 64-слойную 3D NAND в едином цикле (монолитную). Именно 64-слойная память станет основой 512-слойных микросхем. Большее число слоёв невозможно изготовить в едином цикле за разумное время, слишком глубоко и долго придётся «бурить» одиночный кристалл. Нетрудно подсчитать, что 512-слойная память 3D NAND будет состыкована из восьми 64-слойных кристаллов. С учётом использования четырёхбитовой ячейки, которая может дать ёмкость 8 Тбит на 64-слойный чип, ёмкость 512 3D NAND QLC будет составлять 1 Тбайт. Поскольку производители научились упаковывать в один корпус до 16 кристаллов, то на выходе получаем 16-Тбайт микросхемы 3D NAND уже через три или четыре года. В 2,5-дюймовом формфакторе можно разместить 32 таких микросхемы. Так что SSD ёмкостью 512 Тбайт в обозримом будущем — это достаточно реалистичный сценарий.

Источник: Akiba PC Hotline

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты