Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 24 ноября
 
 


Это интересно!

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

Стандартные цифровые ИС и память

10 / 10

3 мая 2011 | Стандартные цифровые ИС и память

Микросхема энергонезависимой памяти IN24AA64

В статье рассказывается об особенностях и преимуществах микросхемы энергонезависимой памяти IN24AA64 информационной емкостью 64 К (8 К × 8 бит) с плавающим затвором. Микросхема, предназначенная для работы в системах с I2C-шиной, разработана в НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл».

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

18 февраля 2011 | Стандартные цифровые ИС и память

Микросхема 5861ВТ1У специализированного контроллера программирования ЭСППЗУ

В статье представлено техническое описание микросхемы 5861ВТ1У, которая позволяет программировать как специализированные микросхемы ЭСППЗУ (типа 5861РР1Т, 5861РР2Т), так и стандартные микросхемы ЭСППЗУ и флэш-памяти отечественного и зарубежного производства. Разрядность шины адреса — 16 бит, разрядность шины данных — 8 бит, рабочий температурный диапазон (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

18 февраля 2011 | Стандартные цифровые ИС и память

Память на фазовых переходах: проблемы и перспективы

Энергонезависимая память на фазовых переходах рассматривается как один из кандидатов на роль универсальной системной памяти. В статье обсуждаются свойства и особенности структуры памяти на фазовых переходах. Описываются механизмы работы элемента памяти и проблемы, которые необходимо решить, чтобы память на фазовых переходах стала коммерчески успешным продуктом.

  • 17
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

15 июня 2010 | Стандартные цифровые ИС и память

Микросхемы высокочастотных делителей 5861ПЦ1У, 5861ПЦ2У

В статье представлено техническое описание микросхем высокочастотных цифровых делителей частоты с коэффициентами деления два (5861ПЦ1У) и пять (5861ПЦ2У). Отличительными особенностями микросхем является наличие двух независимых каналов деления (с аналоговым входом и цифровым входом), возможность запирания каналов, широкий рабочий диапазон температур (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

11 июня 2010 | Стандартные цифровые ИС и память

Микросхема быстродействующего восьмиразрядного буферного формирователя 5861АП1У

В статье представлено техническое описание микросхемы быстродействующего восьмиразрядного буферного формирователя 5861АП1У. Отличительные особенности микросхемы – высокая нагрузочная способность (до 60 мА по каждому выходу), возможность объединения выходов с увеличением выходного тока до 480 мА, наличие встроенного устройства адаптивной фильтрации коротких помех, широкий рабочий диапазон температур (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

17 мая 2010 | Стандартные цифровые ИС и память

Микросхема быстродействующего параллельного ЭСППЗУ со встроенным секвенсором адреса 5861РР1Т

В статье представлено техническое описание микросхемы быстродействующего параллельного ЭСППЗУ 5861РР1Т емкостью 16 Кбит (организация 2Кx8 бит). Отличительными особенностями микросхемы являются высокое быстродействие при чтении информации (25 нс), встроенный секвенсор адреса с функциями инкремента/декремента, рабочий диапазон температур (–60…125°С), напряжение питания 4,5…5,5 В.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

26 февраля 2010 | Стандартные цифровые ИС и память

Новинки DRAM и NAND за февраль

В течение февраля между компаниями-производителями микросхем (МС) памяти наблюдалась напряженная борьба за технологическое лидерство. Вслед за анонсами чипов с нормами 40 нм появлялись известия о создании 30-нм чипов, затем все меньше и меньше.. Проследим за развитием событий последовательно.

  • 85
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

12 января 2009 | Стандартные цифровые ИС и память

Интегральные синтезаторы сетки стабильных частот серии LMK0300x National Semiconductor

Синхронизация – важный элемент в любых системах преобразования и передачи данных. Обычно используется синтез сетки частот привязанных по фазе к опорной частоте. Причем во многих случаях важно не только формирование заданной и стабильной во времени частоты, но и обеспечение как можно меньшего уровня фазового шума. Шум синхронизации дает неопределенность дискретизации при измерениях, уменьшает разрешение, дает ухудшение результатов при корреляционной обработке. Поскольку шум синхронизации вносит свой вклад во все компоненты систем – этот параметр является одним из важных для разработчика в процессе проектирования системы. National Semiconductor представила новую серию LMK0300x синтезаторов сетки стабильных частот «Precision Clock Conditioner» для системной синхронизации, которые обеспечивают низкий уровень фазового шума. Высокая степень интеграции синтезаторов, а также использование компактных корпусов позволяет упростить разработку, снизить стоимость устройства и уменьшить площадь, занимаемую компонентами синтезатора.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

4 мая 2007 | Стандартные цифровые ИС и память

Защита инвестиций: аутентификация и программное управление функциональностью

В статье рассматривается концепция аутентичности на примере решений компании Maxim/Dallas, которая предлагает защищенные микросхемы памяти для обеспечения контроля безопасности и защиты информации и решения таких задач, как:
– защита интеллектуальной собственности;
– лицензирование встроенного аппаратного и программного обеспечения;– функция «защищенное ПО» и установка статуса;
– запоминающие устройства для хранения данных с защитой от несанкционированного копирования.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

1 января 2007 | Стандартные цифровые ИС и память

Магниторезистивная память MRAM - быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме

Исследование магниторезистивных структур как энергонезависимых элементов для хранения информации началось еще в первой половине ХХ века. Но только летом 2006 г. была представлена первая в мире микросхема энергонезависимой памяти, использующая технологию MRAM. В некоторых публикациях этот факт называют прорывом в области разработки памяти за последние 10 лет. Так ли это, и что из себя представляет магниторезистивная память — на эти вопросы отвечает данная статья. Также приводится подробное описание характеристик микросхемы MR2A16A — первого продукта в линейке памяти MRAM.

  • 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
10 / 10



 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2017 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты