Магниторезистивная память MRAM — быстродействующие ОЗУ и ПЗУ в одной микросхеме


PDF версия

Исследование магниторезистивных структур как энергонезависимых элементов для хранения информации началось еще в первой половине ХХ века. Но только летом 2006 г. была представлена первая в мире микросхема энергонезависимой памяти, использующая технологию MRAM. В некоторых публикациях этот факт называют прорывом в области разработки памяти за последние 10 лет. Так ли это, и что из себя представляет магниторезистивная память — на эти вопросы отвечает данная статья. Также приводится подробное описание характеристик микросхемы MR2A16A — первого продукта в линейке памяти MRAM.

Текст статьи здесь.

Статья опубликована в журнале «Электронные компоненты» №1/2007.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *