Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 24 сентября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

NAND или NOR… какую флэш-память выбрать для проекта?

Различные приложения и выполняемые функции требуют использования различных видов флэш-памяти. В статье обсуждаются особенности применения NAND- и NOR-памяти для хранения кода программы и данных системы. Описывается универсальное решение для подсистемы памяти на базе RAM, NAND- и NOR-памяти, сочетающее преимущества обоих типов флэш-памяти. Статья представляет собой сокращенный перевод работы [1].

Интегральные синтезаторы сетки стабильных частот серии LMK0300x National Semiconductor

Синхронизация – важный элемент в любых системах преобразования и передачи данных. Обычно используется синтез сетки частот привязанных по фазе к опорной частоте. Причем во многих случаях важно не только формирование заданной и стабильной во времени частоты, но и обеспечение как можно меньшего уровня фазового шума. Шум синхронизации дает неопределенность дискретизации при измерениях, уменьшает разрешение, дает ухудшение результатов при корреляционной обработке. Поскольку шум синхронизации вносит свой вклад во все компоненты систем – этот параметр является одним из важных для разработчика в процессе проектирования системы. National Semiconductor представила новую серию LMK0300x синтезаторов сетки стабильных частот «Precision Clock Conditioner» для системной синхронизации, которые обеспечивают низкий уровень фазового шума. Высокая степень интеграции синтезаторов, а также использование компактных корпусов позволяет упростить разработку, снизить стоимость устройства и уменьшить площадь, занимаемую компонентами синтезатора.

Динамическая память DDR3

Появление на рынке последнего поколения динамической памяти DDR3 позволило повысить пиковую производительность этого типа памяти до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт при уменьшении потребляемой мощности. В статье рассмотрены основные особенности и преимущества DDR3, а также перспективы развития рынка нового поколения памяти. Приведены данные о номенклатуре микросхем памяти DDR3 SDRAM, выпускаемых одним из ведущих мировых производителей компанией Micron.

 

26 февраля

Новинки DRAM и NAND за февраль

В течение февраля между компаниями-производителями микросхем (МС) памяти наблюдалась напряженная борьба за технологическое лидерство. Вслед за анонсами чипов с нормами 40 нм появлялись известия о создании 30-нм чипов, затем все меньше и меньше.. Проследим за развитием событий последовательно.



M

icron и Nanya создали чип DDR3 с нормами 42 нм

Компании Micron Technology и Nanya Technology сообщили о совместной разработке чипа памяти DDR3 объемом 2 Гбит с технологическими нормами 42 нм. Чипы предназначены для применения в серверах, ноутбуках и настольных ПК. Новые микросхемы памяти позволяют создавать модули объемом до 16 Гб.

Особенности анонсированных микросхем: меньшее рабочее напряжение (1,35 В), меньшее тепловыделение и потребление энергии (на 30%), более высокое быстродействие (до 1 866 Мб/с для чипа 2 Гб DDR3) и повышение эффективности производства.

Начало выпуска чипов ограниченным тиражом намечено на второй квартал 2010 года, а массовое производство – на вторую половину года.

 

40-нм чипы DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит от Samsung

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства МС памяти DDR3 DRAM емкостью 4 Гбит с технологическими нормами 40 нм. В настоящее время в серверах используется в среднем 6 слотов RDIMM (registered dual in-line memory module –модуль памяти с двухсторонними выводами) на ядро. Общая емкость DRAM может достигать 96 Гб. Один модуль 60-нм DDR2 емкостью 1 Гбит потребляет 210 Вт, а 40-нм DDR3 емкостью 2 Гбит – 55 Вт. Для сравнения новые 40-нм DDR3 емкостью 4 Гбит еще более экономичны – они потребляет всего 36 Вт.

Новые модули памяти могут питаться от источников 1,5 или 1,35 В. Доступные МС содержат RDIMM емкостью 16 и 32 Гб и SoDIMM 8 Гб. Скорость передачи данных составляет 1,6 Гбит/с. Samsung переходит на нормы 30 нм В феврале также были анонсированы новые DDR3 чипы Samsung емкостью 2 Гбит, произведенные по технологическим нормам 30 нм. Предназначены для использования в ноутбуках, настольных компьютерах и серверах. Особенности представленных схем: сниженное на 30% энергопотребление (по сравнению с чипами, изготовленными по технологии 50 нм); более высокое быстродействие (на 60% выше, чем у DDR3 с нормами 40 нм) стоимость производства снижена более чем в два раза; напряжение питания 1,5 В или 1,35 В. Массовое производство 30-нм чипов намечено на вторую половину текущего года, а к концу года технология будет применяться при производстве большинства микросхем памяти Samsung.

Опережает Samsung лишь совместное предприятие Intel и Micron Technology, которое выпускает чипы флэш-памяти с нормами 25 нм. Однако это не DRAM, а NAND (см. ниже).

 

Intel и Micron запустили производство 25-нм NAND

Компании Intel и Micron Technology (совместный проект IM Flash Technologies) объявили о запуске производства NAND-памяти емкостью 8 Гб по технологии 25 нм, которая позволит снизить производственные издержки и увеличить емкость хранилищ данных таких устройств как смартфоны, медиаплееры и твердотельные накопители. На данный момент это самая передовая технология производства NAND.

В модулях используется многоуровневая структура ячеек (MLC) с хранением в каждой двух битов данных. Микросхемы помещаются в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP). Количество чипов в новом модуле, по сравнению с таковыми на базе техпроцессов предыдущих поколений, сокращено на 50%. Это позволяет создавать более емкие продукты с меньшим коэффициентом производственных затрат. Для увеличения емкости производитель может использовать несколько модулей. Так, для создания одного SSD-диска емкостью 256 Гб потребуется 32 новых модуля, а не 64.

В настоящее время осуществляются поставки опытных образцов 25-нм NAND 8 Гб. Серийное производство планируется начать во втором квартале 2010 года.

 

Борьба на рынке NAND: Hynix, Samsung, Intel и Micron

Соперничество между компаниями Hynix Semiconductor и Samsung накаляется – в феврале первая заявила о начале производства флэш-памяти NAND 64 Гбит по технологии 26 нм, на что вторая ответила объявлением о начале производства аналогичных МС с технологическими нормами 27 нм уже во второй половине текущего года.

Заявление Hynix может быть продиктовано желанием идти в ногу с технологическими лидерами Intel и Micron. Как бы то ни было, компания наметила массовый выпуск NAND на третью четверть 2010 года, в то время как другой конкурент, Samsung, уже наладил опытное производство еще в октябре и перейдет на серийное во втором квартале текущего года.

Оцените материал:

Источник: ИД Электроника

Автор: Самкова Екатерина



Комментарии

1 / 1
1

17 июня, 09:29

Сергей Сергеев

>>Для сравнения новые 40-нм DDR3 емкостью 4 Гбит еще более экономичны – они потребляет всего 36 Вт.

Прям утюги какие-то )))

1 / 1
1

Прокомментировать





 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты